[发明专利]用于电子束曝光的芯片内嵌复合物及其制备方法与应用

权利要求书

1.一种用于电子束曝光的芯片内嵌复合物的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供一复合结构，其中，所述复合结构包括第一基底、设置在所述第一基底表面的导电层和设置在所述导电层的背离所述第一基底的表面上的芯片阵列；

在所述芯片阵列的外表面铺设保护层，所述保护层覆盖所述芯片阵列；所述保护层选自表面平整的软膜层或硬基底复合物；

采用聚合物溶液对所述复合结构和所述保护层进行封装固化处理；采用聚合物溶液对所述复合结构和保护层进行封装固化处理的步骤中，包括：对所述复合结构和保护层施加压力，加入聚合物溶液填充后，进行封装固化处理，其中，所述压力为10~40 N；

除去所述保护层，得到芯片内嵌复合物。

2.根据权利要求1所述的用于电子束曝光的芯片内嵌复合物的制备方法，其特征在于，所述硬基底复合物包括第二基底和连接层，且沿所述导电层至所述芯片阵列的延伸方向，所述连接层和所述第二基底依次层叠，且所述连接层覆盖所述芯片阵列。

3.根据权利要求1所述的用于电子束曝光的芯片内嵌复合物的制备方法，其特征在于，所述聚合物溶液的材料选自聚二甲基硅氧烷、苯并环丁烯、环氧树脂、二甲基硅氧烷，环甲基硅氧烷，氨基硅氧烷，聚甲基苯基硅氧烷，聚醚聚硅氧烷共聚物中的至少一种。

4.根据权利要求1~3任一所述的用于电子束曝光的芯片内嵌复合物的制备方法，其特征在于，除去所述保护层的步骤中，包括：对所述保护层进行切割去除，并采用有机溶剂进行清洗。

5.根据权利要求1~3任一所述的用于电子束曝光的芯片内嵌复合物的制备方法，其特征在于，所述芯片的大小为（2~3）mm×（4~5）mm。

6.一种由权利要求1~5任一所述的用于电子束曝光的芯片内嵌复合物的制备方法制备得到的用于电子束曝光的芯片内嵌复合物，其特征在于，所述芯片内嵌复合物包括第一基底，设置在所述第一基底表面的导电层，设置在所述导电层的背离所述第一基底的芯片内嵌层，且所述芯片内嵌层包括与所述导电层接触的芯片阵列以及分布在芯片阵列之间的内嵌层。

7.根据权利要求6所述的用于电子束曝光的芯片内嵌复合物，其特征在于，所述内嵌层比所述芯片阵列的厚度≤15微米。

8.权利要求6或7所述的用于电子束曝光的芯片内嵌复合物在电子束曝光设计集成电路中的应用。