[发明专利]一种带有蚀刻停止层的横向激励的薄膜体声波谐振器

权利要求书

1.一种声谐振器器件，包括：

一衬底，具有一表面；

一单晶压电板，具有正面和背面；

一蚀刻停止层，夹设在所述衬底的表面和所述压电板的背面之间，所述压电板的一部分和所述蚀刻停止层形成横跨所述衬底中一空腔的隔膜；和

一叉指式换能器(IDT)，其在所述单晶压电板的正面上形成，且所述IDT的交错指状物设置在所述隔膜上，其中

所述蚀刻停止层对于用于形成所述空腔的蚀刻工艺是不可渗透的，并且

所述蚀刻停止层的厚度小于或等于所述压电板的厚度的20％。

2.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述单晶压电板是铌酸锂和钽酸锂中的一种。

3.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述蚀刻停止层是氧化物、蓝宝石、氮化物、碳化硅和金刚石中的一种。

4.根据权利要求3所述的器件，其特征在于，所述蚀刻停止层是氧化铝。

5.根据权利要求3所述的器件，其特征在于，所述蚀刻停止层是选自氮化铝、氮化硼和金刚石的高导热率材料。

6.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，还包括：

一背面介电层，位于所述压电板和所述蚀刻停止层之间，其中所述隔膜包括所述压电板、所述背面介电层和所述蚀刻停止层。

7.根据权利要求6所述的器件，其特征在于，所述背面介电层是二氧化硅。

8.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，还包括：

一粘合层，位于所述蚀刻停止层和所述衬底之间，所述隔膜包括所述压电板和所述蚀刻停止层，但是不包括所述粘合层。

9.根据权利要求8所述的器件，其特征在于，所述衬底是硅，并且所述粘合层是二氧化硅。

10.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，还包括：

一频率设定介电层，设置在IDT的指状物之间的正面上。

11.根据权利要求10所述的器件，其特征在于，

所述蚀刻停止层的厚度与所述频率设定介电层的厚度之和小于或等于所述介电板厚度的35％。

12.一种制造声谐振器器件的方法，包括：

形成蚀刻停止层，所述蚀刻停止层夹设在器件衬底的表面与单晶压电板的第一表面之间，所述单晶压电板具有一第二表面，第二表面附接至一牺牲衬底；

去除所述牺牲衬底以暴露所述压电板的所述第二表面；

使用蚀刻工艺在所述衬底中形成空腔，所述压电板的一部分和所述蚀刻停止层形成横跨所述空腔的隔膜；以及

在所述压电板的第二表面上形成叉指式换能器(IDT)，以使IDT的交错的指状物设置在所述隔膜上，其中

所述蚀刻停止层对于用于形成所述空腔的蚀刻工艺是不可渗透的。

13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，所述单晶压电板是铌酸锂和钽酸锂中的一种。

14.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，所述蚀刻停止层是氧化物、蓝宝石、氮化物、碳化硅和金刚石中的一种。

15.根据权利要求14所述的方法，其特征在于，所述蚀刻停止层是氧化铝。

16.根据权利要求14所述的方法，其特征在于，所述蚀刻停止层是选自氮化铝、氮化硼和金刚石的高导热率材料。

17.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，还包括：

在所述压电板和所述蚀刻停止层之间形成背面介电层，其中所述隔膜包括所述压电板、所述背面介电层和所述蚀刻停止层。