[发明专利]一种集成在充电器内的自偏置功率路径管理驱动电路有效
申请号: | 202110065508.X | 申请日: | 2021-01-19 |
公开(公告)号: | CN112398470B | 公开(公告)日: | 2021-04-02 |
发明(设计)人: | 陈鑫 | 申请(专利权)人: | 上海南芯半导体科技有限公司 |
主分类号: | H03K19/0175 | 分类号: | H03K19/0175;H03K19/00;H02J7/00 |
代理公司: | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人: | 葛启函 |
地址: | 200120 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 集成 充电器 偏置 功率 路径 管理 驱动 电路 | ||
1.一种集成在充电器内的自偏置功率路径管理驱动电路,所述充电器还包括电池、以及接在所述电池和负载之间的功率管;使能信号有效时,所述功率路径管理驱动电路的输出信号将所述功率管断开,使得负载由外部供电电压进行供电,同时所述充电器对所述电池充电;使能信号无效时,所述功率路径管理驱动电路的输出信号将所述功率管导通,使得负载由所述电池进行供电;
其特征在于,所述功率路径管理驱动电路包括浮动地产生模块、自偏置模块、电平位移模块和逻辑模块,所述功率路径管理驱动电路以所述充电器的负载端电压作为电源电压;
所述浮动地产生模块用于产生一个具有驱动能力的浮动地信号,且所述浮动地信号与所述电源电压之间的电压差等于所述使能信号的电源轨中相对电源信号与相对地信号之间的电压差;
所述自偏置模块包括第一电阻、第一NMOS管和第一PMOS管,第一电阻的一端连接所述电源电压,另一端连接第一NMOS管的栅极和漏极;第一PMOS管的源极连接第一NMOS管的源极,其栅极和漏极连接所述浮动地信号;所述浮动地产生模块包括第二NMOS管,第一NMOS管和第二NMOS管用于组成电流镜并将第一电阻、第一NMOS管和第一PMOS管支路的电流镜像到所述浮动地产生模块中用以提供电流偏置;
所述电平位移模块用于将所述使能信号的电源轨进行抬升,抬升后的电源轨中相对地信号是所述浮动地信号,相对电源信号是所述电源电压;
所述逻辑模块用于将所述使能信号被所述电平位移模块抬升电源轨后的信号进行逻辑处理获得所述功率路径管理驱动电路的输出信号。
2.根据权利要求1所述的自偏置功率路径管理驱动电路,其特征在于,所述浮动地产生模块还包括钳位单元、放大器和第二电阻,所述钳位单元的输入端连接所述电源电压,其输出端产生所述电源电压减去钳位值后的电压信号,所述钳位值为所述使能信号的电源轨中相对电源信号与相对地信号之间的电压差;
所述放大器的正向输入端连接所述钳位单元的输出端并通过第二电阻后接地,其负向输入端和其输出端互连并输出所述浮动地信号,所述放大器由所述自偏置模块提供电流偏置。
3.根据权利要求2所述的自偏置功率路径管理驱动电路,其特征在于,所述钳位单元包括齐纳二极管,齐纳二极管的阴极连接所述钳位单元的输入端,其阳极连接所述钳位单元的输出端,所述钳位值为齐纳二极管的击穿电压。
4.根据权利要求1-3任一项所述的自偏置功率路径管理驱动电路,其特征在于,所述功率管为PMOS功率管,PMOS功率管的源极连接负载,其漏极连接所述电池,其栅极连接所述功率路径管理驱动电路的输出信号;在所述使能信号有效时,所述功率路径管理驱动电路的输出信号为高电平;在使能信号无效时,所述功率路径管理驱动电路的输出信号为低电平。
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