[发明专利]一种铁磁二维材料FeGeTe的CVD制备方法

权利要求书

1.一种铁磁二维材料Fe₃GeTe₂的CVD制备方法，其特征在于：具体包括以下步骤：

步骤1，将Fe、Ge和Te的反应源按摩尔比为Fe：Ge：Te =3：1：2称量，并称量摩尔比Ge：输送剂为1： 0.5-1的输送剂，分别置于容器备用；反应源为Fe、Ge、Te的各种单质或者化合物；

步骤2，将SiO₂/Si或云母或蓝宝石的基片和步骤1备好装有反应源和输送剂的容器依次放入CVD管式炉的石英管之中，并将石英管密封好；其中，基片置于石英管出气口端，其余盛放步骤1备料的容器按照熔点从高至低依次从石英管的中心位置向石英管进气口方向排列；

步骤3，向密封之后的石英管内通入200sccm的92%-95%Ar和5%-8%H₂的混合气体，进行洗气；

步骤4，设定控温程序：初始温度为室温，升温时间控制在20~30min之内，匀速升温达到最高温度，最高温度设定在900℃-950℃之间，并在该最高温度下保温1~10min，之后自然冷却，即可得到在基片上生长的铁磁二维材料Fe₃GeTe₂；在升温过程中通过控制进气端和出气端的气流量来控制管内压强；其中，在管式炉温度达到450-550℃时，打开加热带，对输送剂加热；

所述升温过程中的管内压强为0.01~0.05MPa的高压。

2.如权利要求1所述铁磁二维材料Fe₃GeTe₂的CVD制备方法，其特征在于：所述反应源为FeCl₃·6H₂O、FeCl₃或Fe粉，Ge粉和Te粉。

3.如权利要求1所述铁磁二维材料Fe₃GeTe₂的CVD制备方法，其特征在于：所述输送剂为NaCl或I₂。