[发明专利]半导体真空设备

权利要求书

1.一种半导体真空设备，其特征在于，包括：

第一腔室，所述第一腔室的一侧具有第一开口，另一侧具有与所述第一开口相对设置的第二开口，所述第一腔室内设有晶圆支撑单元，底部设有第一通孔和第二通孔；

第二腔室，所述第二腔室的一侧具有与所述第二开口对应的第三开口，所述第二腔室内设有真空机械手，底部设有第三通孔，所述真空机械手包括真空上机械臂和真空下机械臂；

工艺腔室，与所述第二腔室耦合连接，所述工艺腔室包括第一工艺腔和第二工艺腔；

密封单元，所述密封单元包括第一密封件和第二密封件；所述第一密封件活动设置在所述第一开口的外侧，与所述第一腔室形成第一密封；第二密封件，活动设置在所述第二开口与所述第三开口之间，与所述第一腔室形成第二密封；

大气机械手，设置在靠近第一开口的所述第一腔室外侧，所述大气机械手包括大气上机械臂和大气下机械臂；

真空系统，所述真空系统包括抽气装置、第一真空支路和第二真空支路；

供气系统，所述供气系统包括供气装置和第一供气支路；其中：

所述第一真空支路和所述第二真空支路的一侧共同连接至所述抽气装置，所述第一真空支路的另一侧通过所述第一通孔连接所述第一腔室，所述第二真空支路的另一侧通过所述第三通孔连接所述第二腔室；所述第一供气支路的一侧连接所述供气系统，另一侧通过所述第二通孔连接所述第一腔室；所述第一腔室的顶部设有开口、环绕所述开口的环形凹槽、填充所述环形凹槽的密封圈以及覆盖所述开口的顶盖。

2.如权利要求1所述的半导体真空设备，其特征在于，沿所述环形凹槽设有间隔分布的若干排气孔，所述排气孔沿所述环形凹槽径向设置。

3.如权利要求2所述的半导体真空设备，其特征在于，所述排气孔的数量为8个。

4.如权利要求1所述的半导体真空设备，其特征在于，所述晶圆支撑单元包括若干晶圆支撑组件，所述晶圆支撑组件沿着所述第一腔室的内侧壁的周向设置，所述晶圆支撑组件包括支撑部，所述支撑部包括自上而下间隔设置的第一支撑件、第二支撑件、第三支撑件和第四支撑件。

5.如权利要求4所述的半导体真空设备，其特征在于，所述晶圆支撑组件还包括固定部和连接部，所述固定部的两端通过第一连接件固定连接在所述第一腔室的底部，所述连接部和所述支撑部通过第二连接件固定在所述固定部上；所述连接部包括架设在所述固定部上的底座和自上而下叠设的第一支座、第二支座和第三支座；其中，所述第一支撑件的一端架设在所述第一支座上，所述第二支座的一端插设在所述第一支座和第二支座之间，所述第三支座的一端插设在所述第二支座和第三支座之间，所述第四支座的一端插设在所述第三支座和所述底座之间。

6.如权利要求5所述的半导体真空设备，其特征在于，所述固定部、所述底座、所述支座部设有相应的螺纹通孔，所述第一连接件和所述第二连接件为与所述螺纹通孔对应的螺栓；所述螺栓具有贯穿顶部和底部的通气孔；所述第一支撑件的另一端、所述第二支撑件的另一端、所述第三支撑件的另一端和所述第四支撑件的另一端设置有凸台，晶圆支撑设置在所述凸台上。

7.如权利要求6所述的半导体真空设备，其特征在于，所述固定部、所述底座、所述支座部设有螺栓通气孔，所述螺栓通气孔与所述螺纹通孔连通。