[发明专利]具有旋转交换双工件台的光刻装置的曝光方法

权利要求书

1.一种具有旋转交换双工件台的光刻装置的曝光方法，其特征在于，所述光刻装置包括曝光单元，所述曝光单元包括测量工位和曝光工位，双工件台包括对应分设于所述测量工位和所述曝光工位下方的第一及第二工件台，所述第一及第二工件台分设于旋转部两侧，且对称设置，所述旋转部带动所述第一及第二工件台相对于所述旋转部旋转；所述测量工位执行步骤包括第一测量步骤和第二测量步骤；所述曝光工位执行步骤包括第一曝光步骤和第二曝光步骤；其中，

所述第一测量步骤包括测量所述待处理晶圆相对于第一或第二工件台的位置和方向；所述第二测量步骤包括测量所述待处理晶圆的形变量；

所述第一曝光步骤包括曝光前准备、所述第一或第二工件台的对准；所述第二曝光步骤包括对所述待处理晶圆执行曝光工艺；

所述第一及第二工件台并行作业，同步执行所述第一测量步骤与所述第一曝光步骤；或，同步执行所述第二测量步骤与所述第二曝光步骤。

2.如权利要求1所述的具有旋转交换双工件台的光刻装置的曝光方法，其特征在于，所述测量工位顶部设有测量支架，所述测量支架上设有相对的两个调平传感器、以及位于所述调平传感器之间的硅片对准传感器；所述调平传感器垂直向下面向所述待处理晶圆的外缘，所述硅片对准传感器垂直向下面向所述待处理晶圆的圆心。

3.如权利要求1所述的具有旋转交换双工件台的光刻装置的曝光方法，其特征在于，所述第一及第二工件台上分别设有测控片，所述测控片位于所述第一及第二工件台的外缘；所述测控片还设于所述旋转部上；所述测控片上设有第一相位移光栅和第二相位移光栅。

4.如权利要求3所述的具有旋转交换双工件台的光刻装置的曝光方法，其特征在于，所述第一及第二工件台的上方分设有3个零位干涉仪，所述零位干涉仪沿所述待处理晶圆周边设置；所述待处理晶圆上设有对准标记；光掩模上设有掩模基准光栅，所述光掩模设置在掩模平台上，所述掩模平台上还设有能量传感器和第一基准光栅，所述能量传感器分设于所述光掩模的两侧，所述第一基准光栅设于所述光掩模的上侧，所述光掩模的下侧自上而下还分设有第二基准光栅、第三基准光栅和第四基准光栅。

5.如权利要求4所述的具有旋转交换双工件台的光刻装置的曝光方法，其特征在于，所述第一或第二工件台的对准包括工件台初始零位对准、以及工件台精对位；所述工件台初始零位对准通过所述零位干涉仪获得所述待处理晶圆的初始位置；所述工件台精对位包括所述第一基准光栅对准所述第一相位移光栅，所述第二基准光栅对准所述第二相位移光栅。

6.如权利要求5所述的具有旋转交换双工件台的光刻装置的曝光方法，其特征在于，在工件台初始零位对准之后，所述第一曝光步骤还包括镜面像差测量，通过所述第三基准光栅调整曝光工艺中的像差参数。

7.如权利要求5所述的具有旋转交换双工件台的光刻装置的曝光方法，其特征在于，所述第一或第二工件台的对准之后，所述第一曝光步骤还包括曝光能量修正，所述曝光能量修正通过所述第四基准光栅测量曝光工艺中已曝光晶圆的曝光狭缝均匀性，并校准待处理晶圆的曝光狭缝均匀性。

8.如权利要求4所述的具有旋转交换双工件台的光刻装置的曝光方法，其特征在于，在所述第一曝光步骤之前，所述曝光工位执行步骤还包括曝光能量校准步骤，且在所述旋转部带动所述第一及第二工件台相对于所述旋转部旋转的过程中执行所述曝光能量校准步骤。

9.如权利要求8所述的具有旋转交换双工件台的光刻装置的曝光方法，其特征在于，所述第一及第二工件台上还设有掩模测量光栅；所述曝光能量校准步骤通过所述掩模基准光栅、掩模测量光栅和所述能量传感器，设定曝光工艺中的光源功率。

10.如权利要求1所述的具有旋转交换双工件台的光刻装置的曝光方法，其特征在于，所述光刻装置还包括传送单元，所述传送单元用于传送所述第一或第二工件台上已曝光晶圆至后工位；或，自前工位传送待处理晶圆至所述第一或第二工件台，并定位所述待处理晶圆以及生成定位参数。