[发明专利]一种含硫空位的硫化铟镉-硫化镉二维复合材料及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种含硫空位的硫化铟镉-硫化镉(CdIn₂S₄-CdS)二维复合材料，其特征在于：所述CdIn₂S₄-CdS复合材料中，2D片状CdIn₂S₄复合于2D片状CdS，形成异质结。

2.权利要求1所述的含硫空位的CdIn₂S₄-CdS二维复合材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

(1)通过化学沉淀法制备正八面体Cd₃(C₃S₃N₃)₂前驱体；

(2)将步骤(1)得到的Cd₃(C₃S₃N₃)₂前驱体分散于去离子水，再加入铟源，得到均质溶液；

(3)将步骤(2)得到的均质溶液于140℃下进行水热处理得到CdIn₂S₄-CdS复合材料。

3.根据权利要求2所述的含硫空位的CdIn₂S₄-CdS二维复合材料的制备方法，其特征在于：步骤(2)中，所述铟源为硝酸铟。

4.根据权利要求2所述的含硫空位的CdIn₂S₄-CdS二维复合材料的制备方法，其特征在于：步骤(2)中，Cd₃(C₃S₃N₃)₂前驱体中的Cd与铟源中的In的摩尔比为4.5:1。

5.根据权利要求2所述的含硫空位的CdIn₂S₄-CdS二维复合材料的制备方法，其特征在于：步骤(2)中，所述Cd₃(C₃S₃N₃)₂前驱体在均质溶液的浓度为0.0125mmol mL^-1。

6.根据权利要求2所述的含硫空位的CdIn₂S₄-CdS二维复合材料的制备方法，其特征在于：步骤(3)中，水热处理时间为12h。

7.权利要求1所述的含硫空位的CdIn₂S₄-CdS二维复合材料或权利要求2-6任一项所述的制备方法制得的含硫空位的CdIn₂S₄-CdS二维复合材料的应用，其特征在于：将其用于光催化甲苯选择性氧化。