[发明专利]声波谐振器和用于制造声波谐振器的方法

权利要求书

1.一种声波谐振器，包括：

谐振器，包括中央部和延伸部，在所述中央部中，第一电极、压电层和第二电极顺序地堆叠在基板上，所述延伸部沿着所述中央部的外周设置，并且在所述延伸部中，插入层设置在所述压电层下方，

其中，所述插入层包括注入氟的SiO₂薄膜。

2.根据权利要求1所述的声波谐振器，其中，包含在所述插入层中的氟以大于或等于0.5at％且小于或等于15at％的范围被包含。

3.根据权利要求1所述的声波谐振器，其中，所述压电层包括氮化铝或钪掺杂的氮化铝。

4.根据权利要求1所述的声波谐振器，其中，所述第一电极包括钼。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的声波谐振器，其中，所述插入层包括倾斜部，所述倾斜部的厚度随着距所述中央部的距离增大而增大，并且

所述压电层包括设置在所述倾斜部上的另一倾斜部。

6.根据权利要求5所述的声波谐振器，其中，在所述谐振器的截面中，所述第二电极的端部设置在所述中央部与所述延伸部之间的边界处，或者设置在所述另一倾斜部上。

7.根据权利要求5所述的声波谐振器，其中，所述压电层还包括设置在所述中央部中的压电部和向所述另一倾斜部的外部延伸的延伸部，并且

所述第二电极的至少一部分设置在所述压电层的所述延伸部上。

8.根据权利要求5所述的声波谐振器，其中，所述声波谐振器是体声波谐振器，并且所述倾斜部的倾斜表面的倾斜角形成在大于或等于5°且小于或等于70°的范围内。

9.一种用于制造声波谐振器的方法，包括：

形成谐振器，所述谐振器包括中央部和延伸部，在所述中央部中，第一电极、压电层和第二电极顺序地堆叠在基板上，在所述延伸部中，插入层沿着所述中央部的外周设置，

其中，所述插入层设置在所述压电层下方或者在所述第一电极与所述压电层之间，并且利用注入氟的SiO₂薄膜形成。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，包含在所述插入层中的氟以大于或等于0.5at％且小于或等于15at％的范围被包含。

11.根据权利要求9所述的方法，其中，所述压电层利用氮化铝或钪掺杂的氮化铝形成。

12.根据权利要求9所述的方法，其中，通过将SiH₄气体与CF₄、NF₃、SiF₆、CHF₃、C₄F₈和C₂F₆气体中的任意一种混合来形成所述插入层。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，所述插入层通过化学气相沉积方法并且根据下面的式1形成，

(式1)SiH₄+O₂+CF₄→F-SiO₂+2H₂+CO₂

其中，F-SiO₂是注入氟的SiO₂薄膜。

14.根据权利要求9至13中任一项所述的方法，其中，所述压电层和所述第二电极通过所述插入层而至少部分地隆起。

15.根据权利要求14所述的方法，其中，在所述谐振器的截面中，所述第二电极的端部的至少一部分设置为与所述插入层叠置。

16.根据权利要求14所述的方法，其中，在所述谐振器的截面中，所述第二电极的端部设置在所述延伸部中。