[发明专利]一种红外光谱选择性低发射率材料的设计与制备方法

权利要求书

1.一种红外光谱选择性低发射率材料的设计与制备方法，其特征在于：具体操作步骤如下：

步骤1、以Ge和Si作为高折射率介质材料，以TiO₂和SiO₂作为低折射率介质材料，以石英基片(圆片，直径为2.5英寸，厚度为1mm)作为基材；

步骤2、采用光子带隙计算软件(Translight)设计并计算得到一维异质结光子晶体的周期数为4～6周期，Ge层、TiO₂层、Si层和SiO₂层的厚度分别为0.60～0.80μm、1.1～1.5μm、0.27～0.32μm和0.67～0.72μm，最终设计得到一维异质结光子晶体；

步骤3、再采用光学镀膜机(电子束沉积)在石英基片上制备一维异质结光子晶体，各种介质材料在石英基片上的沉积速率分别为0.2～0.5nm/s(Ge)、0.5～0.8nm/s(TiO₂)、0.2～0.5nm/s(Si)和0.5～0.8nm/s(SiO₂)，石英基片的温度为220～280℃，光学镀膜机沉积腔内的真空度为0.9×10^-3～1.0×10^-3Pa，沉积过程的加速电压及电流分别为5～8kV和22～26mA；

步骤4、通过上述步骤可获得红外光谱选择性低发射率一维光子晶体。

2.根据权利要求1所述的一种红外光谱选择性低发射率材料的设计与制备方法，其特征在于：上述一维异质结光子晶体是JASCO FTIR-6100傅里叶变换红外光谱仪，测试范围在3～18μm波长范围内的光谱发射率，样品在3～5μm和8～14μm波长处的平均发射率分别低至0.060和0.239，而在5～8μm波长处的平均发射率则高至0.562。