[发明专利]旋转外部加热式高频感应超高纯锗单晶制备方法及设备

权利要求书

1.旋转外部加热式高频感应超高纯锗单晶制备方法，其特征在于，包括商品锗锭原料的铸锭及初级纯化的步骤、精区熔提纯的步骤以及拉制单晶的步骤，

所述商品锗锭原料的铸锭及初级纯化的步骤中，分别将第一石英舟和原料锗锭进行初步处理，并将第一石英舟涂碳涂层，后在第一石英舟内对锗锭初级纯化；

所述精区熔提纯的步骤中，分别将第二石英舟和初级纯化后的锗锭进行清洗处理，将第二石英舟涂硅层，后在第二石英舟内作精区域提纯，得到超高纯锗多晶。

2.根据权利要求1所述的旋转外部加热式高频感应超高纯锗单晶制备方法，其特征在于，通过涂碳涂层设备对第一石英舟涂碳涂层，所述涂碳涂层设备包括洁净工作台及位于所述洁净工作台内的石英支架、碳涂层喷枪，通过碳涂层喷枪对固定于所述石英支架上的石英舟进行涂层。

3.旋转外部加热式高频感应超高纯锗单晶制备设备，其特征在于，包括籽晶提拉转动装置、石英管炉体和旋转的外加热装置，所述籽晶提拉转动装置及石英管炉体的底部套在所述外加热装置内，

所述籽晶提拉转动装置包括套在所述石英管炉体内的石英坩埚和籽晶杆，所述籽晶杆的上端穿出所述石英管炉体后与晶体上升旋转机构连接；

所述外加热装置包括加热器和套在所述加热器外部的加热线圈，所述加热器通过加热器旋转轴与机座连接。

4.根据权利要求3所述的旋转外部加热式高频感应超高纯锗单晶制备设备，其特征在于，所述籽晶杆上设有可伸缩波纹管。

5.根据权利要求4所述的旋转外部加热式高频感应超高纯锗单晶制备设备，其特征在于，所述籽晶杆位于所述石英管炉体顶部外侧的部分被包围于所述可伸缩波纹管内。

6.根据权利要求3所述的旋转外部加热式高频感应超高纯锗单晶制备设备，其特征在于，所述籽晶杆的下端部设有籽晶，作为所述石英坩埚内的锗熔液拉成超高纯锗单晶。

7.根据权利要求3所述的旋转外部加热式高频感应超高纯锗单晶制备设备，其特征在于，还包括冷却系统，所述冷却系统包括设于所述籽晶杆上的水冷装置及设于所述石英管炉体顶上端不锈钢盖的水冷系统。

8.根据权利要求3所述的旋转外部加热式高频感应超高纯锗单晶制备设备，其特征在于，还包括通气装置，所述通气装置包括设于所述石英管炉体上端不锈钢盖的进气口和出气口。