[发明专利]具有普适性的易失性动态随机存取存储器及其制备方法

权利要求书

1.一种具有普适性的易失性动态随机存取存储器，其特征在于，所述存储器件包括:

a)衬底：所述的衬底为硅片、二氧化硅片、玻璃、石英片或聚合物；所述作为衬底的聚合物为聚乙烯吡咯烷酮，聚乙烯醇或聚二甲基硅氧烷；

b)底电极：所述的底电极为金属电极、金属氧化物电极或聚合物转移的银纳米线电极；所述用来转移银纳米线的聚合物为聚乙烯吡咯烷酮，聚乙烯醇或聚二甲基硅氧烷；

c)存储介质层：所述的存储介质层是绝缘聚合物或半导体聚合物；

d)顶电极：所述的顶电极是银纳米线导电薄膜。

2.根据权利要求1所述的一种具有普适性的易失性动态随机存取存储器，其特征在于：所述底电极的金属电极为金、银、铜或铝；金属氧化物电极为氧化铟锡；所述的聚合物转移的银纳米线电极为PVP-Ag NWs电极或PVA-Ag NWs电极或PDMS-Ag NWs电极。

3.根据权利要求1所述的一种具有普适性的易失性动态随机存取存储器，其特征在于：所述的存储介质层的绝缘聚合物为聚乙烯吡咯烷酮、聚苯乙烯、聚乙烯醇或聚甲基丙烯酸甲酯；所述的存储介质层的半导体聚合物为3-己基取代聚噻吩、聚9,9-二辛基芴、聚[2-甲氧基-5-(2-乙基甲氧基)-1，4-苯撑乙烯撑]或聚(3，4-乙烯二氧噻吩)-聚苯乙烯磺酸。

4.根据权利要求3所述的一种具有普适性的易失性动态随机存取存储器，其特征在于：所述的存储介质层的厚度为30nm-60nm。

5.根据权利要求1所述的一种具有普适性的易失性动态随机存取存储器制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

(1)底电极的制备：用热蒸镀的方法在衬底上蒸镀金属电极或金属氧化物电极；或原位固化的方法在聚合物上转移的银纳米线电极；

(2)存储介质层的制备：将绝缘聚合物或半导体聚合物溶于溶剂后，旋涂于底电极上，烘干；

(3)顶电极的制备：采用加热喷涂的方法在存储介质层上形成银纳米线电极。

6.根据权利要求5所述制备方法，其特征在于：所述底电极的衬底为硅片、二氧化硅片、玻璃、石英片或聚合物；所述硅片、二氧化硅片、玻璃、石英片作为衬底在使用前需要预处理，将衬底依次置于去离子水、乙醇、异丙醇中，分别超声10-20min，氮气吹干。

7.根据权利要求5所述制备方法，其特征在于：所述的步骤(2)中绝缘聚合物或半导体聚合物的浓度为5mg/ml-50mg/ml；用量为200μl。

8.根据权利要求5所述制备方法，其特征在于：所述的步骤(2)中旋涂采用旋涂仪，转速为800rpm-4000rpm，旋涂时间为30s-60s。

9.根据权利要求5所述制备方法，其特征在于：所述的步骤(3)中顶电极材料是通过多元醇法合成的银纳米线，喷涂时基底加热的温度为50℃，喷枪距离器件的距离为4cm-8cm，用量为100μl-250μl。