[发明专利]化学气相沉积工艺及膜层的形成方法在审
申请号: | 202110069418.8 | 申请日: | 2021-01-19 |
公开(公告)号: | CN114000124A | 公开(公告)日: | 2022-02-01 |
发明(设计)人: | 陈佩瑜;洪婉毓 | 申请(专利权)人: | 华邦电子股份有限公司 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44;C23C16/52 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 宋兴;黄健 |
地址: | 中国台湾台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 化学 沉积 工艺 形成 方法 | ||
1.一种化学气相沉积工艺,其特征在于,包括:
执行第一阶段沉积工艺,在第一温度维持第一时间段;以及
执行第二阶段沉积工艺,包括:
升温步骤,在第二时间段内从所述第一温度升温至第二温度;以及
降温步骤,在第三时间段内从所述第二温度下降至第三温度。
2.根据权利要求1所述的化学气相沉积工艺,其中所述第二时间段是所述第一时间段、所述第二时间段与所述第三时间段的总和的5%至40%;所述第三时间段是所述第一时间段、所述第二时间段与所述第三时间段的总和的5%至70%。
3.根据权利要求1所述的化学气相沉积工艺,其中所述升温步骤的升温速率为大于或等于所述降温步骤的降温速率。
4.根据权利要求1所述的化学气相沉积工艺,其中所述第二温度比所述第一温度高摄氏20度至50度,所述第二温度比所述第三温度高摄氏20度至50度。
5.根据权利要求1所述的化学气相沉积工艺,其中所述第一温度与所述第三温度的差为摄氏0度至50度。
6.根据权利要求1所述的化学气相沉积工艺,还包括:
在执行所述第一阶段沉积工艺之前执行初始阶段,其中所述初始阶段包括恒温步骤,所述恒温步骤的温度与所述第一温度的温度差为摄氏0度至300度;以及
在所述第二阶段沉积工艺之后执行除气阶段,其中,所述除气阶段的温度等于所述第三温度。
7.一种化学气相沉积工艺,包括多个循环工艺,其特征在于,每一循环工艺包括:
执行第一阶段沉积工艺,在第一温度维持第一时间段;以及
执行第二阶段沉积工艺,包括:
升温步骤,在第二时间段内从所述第一温度升温至第二温度;以及
降温步骤,在第三时间段内从所述第二温度下降至所述第一温度。
8.根据权利要求7所述的化学气相沉积工艺,其中所述多个循环工艺包括1至50个循环工艺。
9.根据权利要求7所述的化学气相沉积工艺,其中每一循环的所述第二时间段是每个循环的所述第一时间段、所述第二时间段以及所述第三时间段的总和的5%至40%;所述第三时间段是所述第一时间段、所述第二时间段与所述第三时间段的总和的5%至70%。
10.根据权利要求7所述的化学气相沉积工艺,其中执行每个所述循环工艺的所述第二时间段与所述第三时间段的和是所述第一时间段、所述第二时间段、所述第三时间段的总和的30%至50%。
11.根据权利要求7所述的化学气相沉积工艺,其中每个所述循环工艺的所述第二温度相同,且每个所述循环工艺的所述第一温度相同。
12.根据权利要求7所述的化学气相沉积工艺,其中所述第二温度比所述第一温度高摄氏20度至50度。
13.根据权利要求7所述的化学气相沉积工艺,其中所述升温步骤的升温速率为大于或等于所述降温步骤的降温速率。
14.根据权利要求7所述的化学气相沉积工艺,还包括:
在执行第一循环工艺的所述第一阶段沉积工艺之前执行初始阶段,其中所述初始阶段包括恒温步骤,所述恒温步骤的温度与所述第一温度的温度差为摄氏0度至300度;以及
在执行最后一个循环工艺的所述第二阶段沉积工艺之后执行除气阶段,其中,所述除气阶段的温度等于所述第一温度。
15.一种膜层的形成方法,包括:
以上述权利要求1至14任一项所述的化学气相沉积工艺在衬底上沉积膜层,其中,
在执行第一阶段沉积工艺时,形成的第一材料层在所述衬底的边缘区域的厚度大于所述衬底的中心区域的厚度,
在执行第二阶段沉积工艺时,形成的第二材料层在所述衬底的边缘区域的厚度小于所述衬底的中心区域的厚度。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的