[发明专利]一种半导体晶片机械抛光加工系统及方法

说明书

本发明公开了一种半导体晶片机械抛光加工系统及方法，其结构包括抓取机构、伺服器、控制面板、立柱、抛光基座、设备主体、固定地脚，固定地脚设有四个，且通过扣合方式安装于设备主体底部，设备主体顶部前端设有控制面板，立柱设有两个，且通过扣合方式安装于设备主体左右两侧。本发明抓取机构在切换不同直径大小的晶片加工时，通过调位组件控制定位机构内的负压疏通值，且能够分别转换负压外环与负压内环的单独吸附，实现了不同直径范围的外置吸孔变换，以便于根据不同大小的晶片进行局限调整，确保了吸附力度的平均，避免造成晶片变形损坏。

本申请是申请日为2019年5月1日，申请号为CN201910435579.7的发明名称为基于双位定位原理的半导体晶片机械抛光加工装置的分案申请。

技术领域

本发明涉及半导体领域，尤其是涉及到一种半导体晶片机械抛光加工系统及方法。

背景技术

半导体晶片是生产集成电路的主要原材料，尺寸越大则每片晶片上可以制造的芯片数量就越多，从而制造成本就越低，晶片尺寸的扩大和芯片线宽的减小是集成电路行业技术进步的两条主线，生产过程中最重要的工艺是抛光晶圆片，此工艺在超净间中进行大多数生产型晶圆片都要经过两三次的抛光,抛光料是细浆或者抛光化合物。市面上现有技术在使用过程中存在这样的问题：

目前的机械抛光设备采用负压吸附进行晶片的固定，但由于晶片材料较薄，且变形量大，加工时无法根据晶片的直径进行定位吸附，且吸附力度也无法进行调整，容易造成晶片变形损坏。

发明内容

针对现有技术存在的不足，本发明目的是提供一种半导体晶片机械抛光加工系统及方法，以解决目前的机械抛光设备采用负压吸附进行晶片的固定，但由于晶片材料较薄，且变形量大，加工时无法根据晶片的直径进行定位吸附，且吸附力度也无法进行调整，容易造成晶片变形损坏的问题。

为了实现上述目的，本发明是通过如下的技术方案来实现：一种半导体晶片机械抛光加工系统及方法，其结构包括抓取机构、伺服器、控制面板、立柱、抛光基座、设备主体、固定地脚，固定地脚设有四个，且通过扣合方式安装于设备主体底部，设备主体顶部前端设有控制面板，立柱设有两个，且通过扣合方式安装于设备主体左右两侧，设备主体中部设有固定安装抛光基座的凹槽，抓取机构设有两个，且通过扣合方式安装于设备主体中部上端，设备主体左侧上端设有伺服器。

作为本技术方案的进一步优化，抓取机构包括定位真空轴、调位组件、定位机构，调位组件为圆形结构，且底部与定位机构顶部相嵌合，定位真空轴为圆筒形结构，且底部通过扣合方式安装于调位组件中部。

作为本技术方案的进一步优化，调位组件包括密闭机构、外环、弧形刮板、刷轮，弧形刮板设有两个，且通过扣合方式安装于刷轮内部两端，刷轮通过套合方式安装于外环四周，外环内部设有密闭机构，密闭机构与定位真空轴联通，弧形刮板与密闭机构相连接。

作为本技术方案的进一步优化，密闭机构包括摆动压轴、双位滑块、折叠圆页、固定环、收纳槽，收纳槽设有两个，且通过扣合方式安装于固定环内部两端，折叠圆页分别与收纳槽内部相连接，摆动压轴底部贯穿连接折叠圆页，双位滑块底部两端与摆动压轴顶部相扣合。

作为本技术方案的进一步优化，定位机构包括负压外环、负压内环、内置连接口、外置吸孔，外置吸孔设有两个以上，且呈环形阵列方式分布于定位机构底部，定位机构内部上端设有负压外环，负压外环顶部与摆动压轴底部相贴合，负压内环通过嵌入方式安装于负压外环内部，内置连接口设有两个以上，且均匀等距分布于负压外环、负压内环底部，外置吸孔与内置连接口相连通。

作为本技术方案的进一步优化，弧形刮板弧形末端均设有凸位，用于与双位滑块进行卡合，从而实现同步的联动效果。

作为本技术方案的进一步优化，摆动压轴底部设有滚珠，并且与负压外环、负压内环顶面接触，从而确保在移动过程中提高滑动性，避免阻力。