[发明专利]一种碳化硅功率模块、器件及其老化状态识别方法

权利要求书

1.一种碳化硅功率模块，其特征在于，所述模块包括：覆铜陶瓷基板、铜基板、焊料层、MOS芯片以及预设数量的热电偶；

所述预设数量的热电偶均匀分布于所述焊料层的边界对应的铜基板底部位置；

所述铜基板与所述覆铜陶瓷基板复合，且所述覆铜陶瓷基板中心点对应的铜基板底部位置固定有热电偶；

所述MOS芯片固定于所述覆铜陶瓷基板上，且所述MOS芯片对应的铜基板底部位置固定有热电偶；

所述预设数量的热电偶通过耐高温导热胶带均匀贴装在所述焊料层的边界对应的铜基板底部位置；

所述预设数量的热电偶为8个热电偶；

所述碳化硅功率模块上的MOS芯片数量为n个，且各个所述MOS芯片对应的铜基板底部位置均通过耐高温导热双面胶贴装有一个热电偶；其中，n为大于等于1的整数。

2.根据权利要求1所述的一种碳化硅功率模块，其特征在于，所述功率模块还包括SBD芯片；

所述SBD芯片直接固定于所述覆铜陶瓷基板上，且所述SBD芯片的数量与所述MOS芯片的数量相等。

3.一种碳化硅功率器件，其特征在于，包括如权利要求1- 2任意一项所述的一种碳化硅功率模块。

4.一种如权利要求1- 2任意一项所述的碳化硅功率模块的老化状态识别方法，其特征在于，所述方法包括：

实时获取所述碳化硅功率模块上预设数量的热电偶分别对应的温度值，以确定温度分布矩阵；

基于所述温度分布矩阵，确定所述碳化硅功率模块对应的热阻值；

根据所述碳化硅功率模块对应的热阻值，通过预存的热阻值与老化状态关系，确定所述碳化硅功率模块的老化状态；

在实时获取所述碳化硅功率模块上预设数量的热电偶分别对应的温度值之前，所述方法还包括：

确定所述碳化硅功率模块上预设数量的热电偶的实际数量，并基于所述预设数量的热电偶的实际数量及位置对所述预设数量的热电偶进行编号；

所述温度分布矩阵为行矩阵；

确定所述温度分布矩阵，具体包括：

通过所述预设数量的热电偶分别对应的编号，将所述预设数量的热电偶分别对应的温度值进行顺序排列；

基于顺序排列后的所述预设数量的热电偶分别对应的温度值，确定温度分布矩阵；

在确定所述碳化硅功率模块对应的热阻值之后，所述方法还包括：

获取所述碳化硅功率模块对应的基准热阻值；其中，所述基准热阻值为所述碳化硅功率模块出厂时测得的热阻值；

确定所述碳化硅功率模块对应的热阻值与所述基准热阻值之间的差值；

在所述差值大于预设阈值时，确定所述碳化硅功率模块出现老化。