[发明专利]等离子体处理装置

权利要求书

1.一种等离子体处理装置，利用用于生成等离子体的高频电力来使供给到腔室内的气体等离子体化，对基板进行等离子体处理，该等离子体处理装置具有：

台，其以第一电极与第二电极分离的方式形成，其中，该第一电极在上部载置基板，该第二电极在上部设置聚焦环且该第二电极设置于所述第一电极的周围；

第一高频电源，其向所述第一电极施加主要用于吸引等离子体中的离子的第一高频电力；以及

第二高频电源，其与所述第一高频电源独立地设置，向所述第二电极施加主要用于吸引等离子体中的离子的第二高频电力。

2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，

具有控制部，该控制部独立地控制所述第一高频电源和所述第二高频电源。

3.根据权利要求2所述的等离子体处理装置，其特征在于，

所述第一高频电力的频率和所述第二高频电力的频率为20MHz以下，

所述控制部在等离子体处理时根据所述聚焦环的消耗量来将所述第二高频电力控制得比所述第一高频电力高。

4.根据权利要求2或3所述的等离子体处理装置，其特征在于，

所述控制部在清洗处理时根据所述聚焦环的消耗量来将所述第二高频电力控制得比所述第一高频电力低。

5.根据权利要求2至4中的任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于，具有：

第三高频电源，其向所述第一电极施加频率大于20MHz的用于生成等离子体的第三高频电力；以及

第四高频电源，其与所述第三高频电源独立地设置，向所述第二电极施加频率大于20MHz的用于生成等离子体的第四高频电力，

所述控制部独立地控制所述第三高频电源和所述第四高频电源中的至少任一个。

6.根据权利要求2至4中的任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于，

所述控制部控制为向所述第一电极施加频率大于20MHz的用于生成所述等离子体的高频电力、或者向所述第一电极和所述第二电极施加频率大于20MHz的用于生成所述等离子体的高频电力、或者向与所述台相向地设置的上部电极施加频率大于20MHz的用于生成所述等离子体的高频电力。

7.根据权利要求2至6中的任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于，具有：

第一直流电源，其向所述第一电极施加第一直流电流；以及

第二直流电源，其向所述第二电极施加第二直流电流，

所述控制部独立地控制所述第一直流电源和所述第二直流电源中的至少任一个。