[发明专利]一种硫氰酸铵插层二硫化钼微米花材料及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 202110070613.2 | 申请日： | 2021-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN112661188B | 公开（公告）日： | 2022-09-30 |
| 发明（设计）人： | 郑学军;王经纬;何文远;陈隆源;王银民 | 申请（专利权）人： | 湘潭大学 |
| 主分类号： | C01G39/06 | 分类号： | C01G39/06;C01C3/20;H01G11/24;H01G11/86 |
| 代理公司： | 长沙市融智专利事务所(普通合伙) 43114 | 代理人： | 张伟;魏娟 |
| 地址： | 411105 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 氰酸 铵插层 二硫化钼 微米 材料 及其 制备 方法 应用 | ||
【权利要求书】：
1.一种硫氰酸铵插层二硫化钼微米花材料的制备方法，其特征在于：将钼酸铵及硫脲在水介质中进行水热反应，即得；
钼酸铵与硫脲的比例以钼酸铵中的钼原子与硫脲中的硫原子摩尔比为1:（5~10）计量；
所述钼酸铵在水介质中的浓度为0.1~0.5mol/L；
所述水热反应的条件为：温度为210~230 ℃，时间为23~25h。
2.权利要求1所述的制备方法得到的一种硫氰酸铵插层二硫化钼微米花材料，其特征在于：具有层状微米花结构；所述层状微米花结构由硫氰酸铵插层二硫化钼纳米片组装构成。
3.根据权利要求2所述的一种硫氰酸铵插层二硫化钼微米花材料，其特征在于：所述层状微米花结构中硫氰酸铵插层二硫化钼纳米片之间的层间距为9.3~9.5 Å。
4.根据权利要求2所述的一种硫氰酸铵插层二硫化钼微米花材料，其特征在于：所述层状微米花结构的直径为0.1~5微米。
5.权利要求2~4任一项所述的硫氰酸铵插层二硫化钼微米花材料的应用，其特征在于：作为双电层超级电容器电极材料应用。
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