[发明专利]全环绕闸极垂直贯穿式晶体管及其制备方法

权利要求书

1.一种全环绕闸极垂直贯穿式晶体管，其特征在于，所述全环绕闸极垂直贯穿式晶体管包括：

基底(110)；

至少两个器件单元(120)，依次重叠设置在所述基底(110)上，所述器件单元(120)上开设有垂直于所述基底(110)的过孔(125)，所述过孔(125)贯穿全部所述器件单元(120)；

闸极(130)，设置在所述过孔(125)内、并与全部所述器件单元(120)连接；

其中，所述器件单元(120)包括：

隔绝层(121)，设置在所述基底(110)上；

汲极层(122)，设置在所述隔绝层(121)上；

阱层(123)，设置在所述汲极层(122)上；

源极层(124)，设置在所述阱层(123)上。

2.根据权利要求1所述的全环绕闸极垂直贯穿式晶体管，其特征在于，所述闸极(130)包括：

纳米线(131)；

氧化层(132)，包裹在所述纳米线(131)的外周面。

3.根据权利要求2所述的全环绕闸极垂直贯穿式晶体管，其特征在于，所述氧化层(132)为二氧化硅。

4.根据权利要求1所述的全环绕闸极垂直贯穿式晶体管，其特征在于，所述过孔(125)的数量为多个，多个所述过孔(125)间隔排布。

5.一种全环绕闸极垂直贯穿式晶体管的制备方法，其特征在于，所述全环绕闸极垂直贯穿式晶体管的制备方法包括：

在基底(110)上形成至少两个依次重叠设置的器件单元(120)；

在所述器件单元(120)上开设垂直于所述基底(110)的过孔(125)，所述过孔(125)贯穿全部所述器件单元(120)，包括：在所述基底(110)上形成隔绝层(121)；在所述隔绝层(121)上形成汲极层(122)；在所述汲极层(122)上形成阱层(123)；在所述阱层(123)上形成源极层(124)；

在所述过孔(125)内形成闸极(130)，所述闸极(130)与全部所述器件单元(120)连接。

6.根据权利要求5所述的全环绕闸极垂直贯穿式晶体管的制备方法，其特征在于，所述在所述过孔(125)内形成闸极(130)的步骤包括：

在所述过孔(125)内形成氧化层(132)；

在所述过孔(125)内形成纳米线(131)，使所述氧化层(132)包裹在所述纳米线(131)的外周面。

7.根据权利要求6所述的全环绕闸极垂直贯穿式晶体管的制备方法，其特征在于，所述氧化层(132)采用二氧化硅形成。

8.根据权利要求5所述的全环绕闸极垂直贯穿式晶体管的制备方法，其特征在于，所述在所述器件单元(120)上开设垂直于所述基底(110)的过孔(125)的步骤包括：

采用曝光显影技术形成所述过孔(125)。