[发明专利]掩膜版、其图形修正方法、存储介质及器件制备方法

说明书

本公开提供一种掩膜版、其图形修正方法、存储介质及器件制备方法，该掩膜版包括至少一个沿预设方向的倾斜阶梯状图案；其中，所述倾斜阶梯状图案包括分别位于所述倾斜阶梯状图案沿所述预设方向的两侧的第一阶梯状轮廓和第二阶梯状轮廓；所述第一阶梯状轮廓包括多个第一直角拐点，所述第二阶梯状轮廓包括多个第二直角拐点；所述倾斜阶梯状图案中，所述第一直角拐点和所述第二直角拐点交错设置。这种掩膜版的图案线宽易于控制，不仅可以提高光学邻近修正的一致性，而且可提高掩膜工艺的均一性和芯片图案的均一性。

技术领域

本公开涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种掩膜版、其图形修正方法、存储介质及器件制备方法。

背景技术

在半导体制造过程中，为将集成电路(Integrated Circuit,IC)的电路图案转移至半导体芯片上，需将集成电路的电路图案设计为掩模版图案，再将掩模版图案从掩模版表面转移至半导体芯片。然而随着集成电路特征尺寸(Critical Dimension,CD)的缩小，以及受到曝光机台(Optical Exposure Tool,OET)的分辨率极限(Resolution Limit)的影响，在对高密度排列的掩模版图案进行曝光制程以进行图案转移时，便很容易产生光学邻近效应(Optical Proximity Effect,OPE)，使掩模板图形转移出现缺陷。针对光学邻近效应的问题，目前业界普遍采用的一种方法为光学邻近修正(Optical ProximityCorrection,OPC)，其通过改变原始版图图形的形状来减小曝光所获得的光刻图形的偏差。

在现有光学邻近修正方法中，对于倾斜目标图案，在倾斜目标图案轮廓边缘设置多个采样点，通过采样点将倾斜目标图案分为若干片段，适应性将各个片段的边缘轮廓相外扩张，以增大各个片段处的图案线宽，从而得到掩膜版图案。但是，由此得到的掩膜版的轮廓既非垂直方向也非水平方向，掩膜版线宽难以控制，掩膜版线宽均一性较差，最终会影响芯片图案的线宽均一性。

发明内容

针对上述问题，本公开提供了一种掩膜版、其图形修正方法、存储介质及器件制备方法，解决了现有的光学邻近修正方法得到掩膜版图案线宽均一性较差的技术问题。

第一方面，本公开提供一种掩膜版，包括至少一个沿第一预设方向的倾斜阶梯状图案；

其中，所述倾斜阶梯状图案包括分别位于所述倾斜阶梯状图案沿所述第一预设方向的两侧的第一阶梯状轮廓和第二阶梯状轮廓；

所述第一阶梯状轮廓包括多个第一直角拐点，所述第二阶梯状轮廓包括多个第二直角拐点；

所述倾斜阶梯状图案中，所述第一直角拐点和所述第二直角拐点交错设置。

根据本公开的实施例，可选地，所述倾斜阶梯状图案中，任意两个偶数位或任意两个奇数位的所述第一直角拐点之间的连线的延伸方向与所述第一预设方向相同；

所述倾斜阶梯状图案中，任意两个偶数位或任意两个奇数位的所述第二直角拐点之间的连线的延伸方向与所述第一预设方向相同。

根据本公开的实施例，可选地，所述第一阶梯状轮廓的各个台阶高度相同。

根据本公开的实施例，可选地，所述第二阶梯状轮廓的各个台阶高度相同。

根据本公开的实施例，可选地，所述第一阶梯状轮廓的台阶高度与所述第二阶梯状轮廓的台阶高度相同。

根据本公开的实施例，可选地，所述掩膜版中，所述倾斜阶梯状图案的数量为多个，且各个所述倾斜阶梯状图案彼此间隔且平行；

相邻两个所述倾斜阶梯状图案的所述第一阶梯状轮廓对齐置。

根据本公开的实施例，可选地，所述掩膜版中，所述倾斜阶梯状图案的数量为多个，且各个所述倾斜阶梯状图案彼此间隔且平行；

相邻两个所述倾斜阶梯状图案的所述第一阶梯状轮廓交错设置。