[发明专利]一种铝硅合金溅射靶材及其制备方法与应用在审
| 申请号： | 202110070732.8 | 申请日： | 2021-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN112899624A | 公开（公告）日： | 2021-06-04 |
| 发明（设计）人： | 姚力军;边逸军;潘杰;王学泽;邹浪 | 申请（专利权）人： | 宁波江丰电子材料股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;B22F3/02;B22F3/15;B22F3/24;B22F5/00;C22C21/02 |
| 代理公司： | 北京远智汇知识产权代理有限公司 11659 | 代理人： | 王岩 |
| 地址： | 315400 浙江省宁波市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 合金 溅射 及其 制备 方法 应用 | ||
1.一种铝硅合金溅射靶材的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：
(1)装填并夯实铝硅合金粉末，得到第一生坯；
(2)将步骤(1)所得第一生坯进行真空脱气处理，得到第二生坯；
(3)将步骤(2)所得第二生坯在400-520℃下进行热等静压处理，得到铝硅坯料；
(4)将步骤(3)所得铝硅坯料进行机加工，得到铝硅合金溅射靶材。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述铝硅合金粉末中铝的比例为47.5-52.5wt％。
3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述铝硅合金粉末的平均粒径为1-75μm。
4.根据权利要求1-3任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)所述真空脱气处理的绝对真空度为1×10-5-3Pa；
优选地，步骤(2)所述真空脱气处理的脱气温度为200-400℃；
优选地，步骤(2)所述真空脱气处理的脱气时间为4-8h。
5.根据权利要求1-4任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤(3)所述热等静压处理的施加压力为90-300MPa；
优选地，步骤(3)所述热等静压处理的时间为3-6h。
6.根据权利要求1-5任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤(4)所述机加工包括依次进行的抛光与切割。
7.根据权利要求1-6任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤(4)所述铝硅合金溅射靶材后续还依次经过检测、清洗、干燥与包装。
8.根据权利要求1-7任一项所述的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：
(1)装填并夯实平均粒径为1-75μm的铝硅合金粉末，得到第一生坯；所述铝硅合金粉末中铝的比例为47.5-52.5wt％；
(2)将步骤(1)所得第一生坯在绝对真空度为1×10-5-3Pa，脱气温度为200-400℃下进行4-8h的真空脱气处理，得到第二生坯；
(3)将步骤(2)所得第二生坯在施加压力为90-300MPa，烧结温度为400-520℃下进行3-6h的热等静压处理，得到铝硅坯料；
(4)将步骤(3)所得铝硅坯料依次进行抛光与切割，并依次经过检测、清洗、干燥与包装，得到铝硅合金溅射靶材。
9.一种如权利要求1-8任一项所述的制备方法制备得到的铝硅合金溅射靶材，其特征在于，所述铝硅合金溅射靶材的致密度≥99％。
10.一种如权利要求9所述的铝硅合金溅射靶材在真空溅射镀膜方面的应用。
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