[发明专利]一种Flash芯片的存储方法及设备

说明书

本申请的目的是提供一种Flash芯片的存储方法及设备，本申请通过确定Flash芯片的内存容量以及剩余块的内存容量；根据所述Flash芯片的内存容量以及所述剩余块的内存容量确定目标块，对所述目标块进行擦除处理；根据写入数据的数据量和所述目标块的内存容量均分擦除处理后的目标块，确定所述擦除处理后的目标块的目标写入地址；根据所述目标写入地址完成所述写入数据的存储处理。从而有效延长Flash芯片使用寿命，并精确地擦除可擦除的块。

技术领域

本申请涉及计算机领域，尤其涉及一种Flash芯片的存储方法及设备。

背景技术

Flash芯片在写入大量的数据时，需要多次擦除整个块，从而减少Flash芯片的读写寿命，过早的导致设备到达生命周期。为了延长设备的使用寿命，现有的存储方式如下：

1)在常规的固定擦除的Flash芯片内存的基础上，加入了校验机制，通过校验确定已经擦除的块，然后重新寻找一块不用的块，这样就可以延长设备的使用寿命，缺点是会出现代码空间不够用，亦或者是剩余的块存在数据则整块擦除会出现代码错误；

2)擦除一个块(block)后，将block进行n等分后分开多次写入每个等分的数据，缺点是针对同一个块(block)进行擦除，如果数据写的和块差不多大小，这样就会导致使用寿命的增值微乎其微，几乎没有真正延长使用寿命。

发明内容

本申请的一个目的是提供一种Flash芯片的存储方法及设备，解决现有技术中存有数据的块整块擦除出现代码错误以及写入数据量与块容积接近使得Flash芯片使用寿命无法有效延长的问题。

根据本申请的一个方面，提供了一种Flash芯片的存储方法，该方法包括：

确定Flash芯片的内存容量以及剩余块的内存容量；

根据所述Flash芯片的内存容量以及所述剩余块的内存容量确定目标块，对所述目标块进行擦除处理；

根据写入数据的数据量和所述目标块的内存容量均分擦除处理后的目标块，确定所述擦除处理后的目标块的目标写入地址；

根据所述目标写入地址完成所述写入数据的存储处理。

可选的，对所述目标块进行擦除处理，包括：

将所述目标块加入存储对象队列，判断所述存储对象队列中的目标块的数量是否达到上限值，若是，则清空所述存储对象队列中的所有目标块。

可选的，所述对所述目标块进行擦除处理之后，包括：

对擦除处理过的目标块使用指定标识进行标记。

可选的，所述判断所述存储对象队列中的目标块的数量是否达到上限值之前，包括：

根据所述Flash芯片的内存容量确定所述上限值。

可选的，所述根据写入数据的数据量和所述目标块的内存容量均分擦除处理后的目标块，确定所述擦除处理后的目标块的目标写入地址，包括：

根据写入数据的数据量的整数倍均分擦除处理后的目标块的内存容量，根据均分后的所述擦除处理后的目标块的内存容量确定所述擦除处理后的目标块的多个写入地址；

基于所述写入数据的数据量确定多个写入地址中的目标写入地址。

可选的，所述根据均分后的所述擦除处理后的目标块的内存容量确定所述擦除处理后的目标块的多个写入地址之后，包括：

判断多个写入地址中是否存在不能使用的写入地址，若是，则使用第一预设标识标记所述不能使用的写入地址。

可选的，所述基于所述写入数据的数据量确定多个写入地址中的目标写入地址，包括：