[发明专利]一种驱动电路与电子设备

说明书

本发明提供了一种驱动电路与电子设备，涉及半导体器件驱动技术领域。该驱动电路包括待驱动器件、驱动单元、欠压保护单元以及MCU，欠压保护单元分别与MCU、驱动单元电连接，驱动单元与待驱动器件电连接，驱动单元、欠压保护单元均连接于驱动电源，其中，MCU用于生成驱动信号；欠压保护单元用于在驱动电源的电压大于阈值时，将驱动信号传输至驱动单元，以使待驱动器件工作；欠压保护单元还用于在驱动电源的电压小于阈值时，向驱动单元传输截止信号，以使待驱动器件停止工作。本发明提供的驱动电路与电子设备具有使待驱动器件不会在驱动电压过低的场景下工作，有效保护了待驱动器件的优点。

技术领域

本申请涉及半导体器件驱动技术领域，具体而言，涉及一种驱动电路与电子设备。

背景技术

SiC MOSFET(碳化硅场效应管)、SiC BJT(碳化硅双极结型晶体管)等SiC功率开关半导体器件因其材料特殊性，对栅极驱动电压要求很高。如果一直在驱动电压较低的情况下工作，SiC MOSFET、SiC BJT等SiC功率开关半导体的工作损耗较大，容易导致发热等一系列不良影响。

然而，目前常用的硅材料的驱动电路中，没有欠压保护单元电路，应用此方式驱动碳化硅，如果驱动电压出现过低异常情况时，系统不会报异常，继续工作，碳化硅半导体损耗过高，导致发热异常。

综上，现有的碳化硅半导体器件的驱动电路中，容易出现碳化硅半导体损耗过高，导致发热异常的问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种驱动电路与电子设备，以解决现有技术中容易出现碳化硅半导体损耗过高，导致发热异常的问题。

为解决上述问题，一方面，本发明提供了一种驱动电路，所述驱动电路包括待驱动器件、驱动单元、欠压保护单元以及MCU，所述欠压保护单元分别与所述MCU、所述驱动单元电连接，所述驱动单元与所述待驱动器件电连接，所述驱动单元、所述欠压保护单元均连接于驱动电源，其中，

所述MCU用于生成驱动信号；

所述欠压保护单元用于在所述驱动电源的电压大于阈值时，将所述驱动信号传输至所述驱动单元，以使所述待驱动器件工作；

所述欠压保护单元还用于在所述驱动电源的电压小于阈值时，向所述驱动单元传输截止信号，以使所述待驱动器件停止工作。

由于本申请提供的驱动电路中包括欠压保护单元，因此当驱动电源的电压小于阈值时，欠压保护单元能够向驱动单元传输截止信号，进而使待驱动器件不会在驱动电压过低的场景下工作，有效保护了待驱动器件。

可选地，所述欠压保护单元包括比较器、与门，所述比较器的正相输入端与所述驱动电源电连接，所述比较器的反相输入端与一比较电源电连接，所述比较器的输出端与所述与门的第一输入端电连接，所述与门的第二输入端与所述MCU电连接，所述与门的输出端与所述驱动单元电连接；其中，

所述比较器用于在所述正相输入端的电压大于所述反相输入端的电压时，输出高电平；

所述比较器还用于在所述正相输入端的电压小于所述反相输入端的电压时，输出低电平；

所述与门用于在所述比较器输出高电平时，将所述驱动信号传输至所述驱动单元；

所述与门还用于在所述比较器输出低电平时，向所述驱动单元传输截止信号。

可选地，所述欠压保护单元还包括第一分压模块与第二分压模块，所述第一分压模块分别与所述驱动电源、所述比较器的正相输入端电连接，且所述第一分压模块接地；所述第二分压模块分别与所述比较电源、所述比较器的反相输入端电连接，且所述第二分压模块接地。

可选地，所述第一分压模块包括第一电阻与第二电阻，所述第一电阻的第一端与所述驱动电源电连接，所述第一电阻的第二端分别与所述比较器的正相输入端、所述第二电阻的第一端电连接，所述第二电阻的第二端接地；