[发明专利]一种硅片清洗方法有效

专利信息
申请号: 202110072089.2 申请日: 2021-01-20
公开(公告)号: CN112387647B 公开(公告)日: 2021-05-18
发明(设计)人: 钱诚;李刚;周志勇 申请(专利权)人: 常州江苏大学工程技术研究院;江苏亚电科技有限公司
主分类号: B08B1/00 分类号: B08B1/00;B08B3/02;B08B13/00;H01L21/67;F26B5/14
代理公司: 芜湖市昌强专利代理事务所(特殊普通合伙) 34203 代理人: 张宇江
地址: 213000 江苏省常州*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 硅片 清洗 方法
【说明书】:

一种硅片清洗方法,包括:将硅片依次插入齿杆上相邻两夹紧齿之间,以使硅片支撑在各支撑杆上;将安装好硅片后的花篮主体放至清洗池的池底;推动端板沿滑轨向推块滑动至三个支撑杆分别与推动面接触后,打开喷淋;继续推动端板使得推块推动支撑杆沿滑动槽由高处滑动至低处,并压缩撑开弹簧,以使硅片向支撑杆跌落并露出硅片与夹紧齿夹紧的区域,进行清洗,从而提高了整个硅片的清洗效果;在清洗完成后,推块松开支撑杆,支撑杆在撑开弹簧的回弹力作用下推动硅片插回至两夹紧齿之间,并通过回弹力保证各硅片排列整齐。

技术领域

本发明涉及硅片清洗的技术领域,尤其涉及一种硅片清洗方法。

背景技术

中国专利,申请号为CN201811244464.1,申请日为2018.10.24,授权公告号为CN109461791B,授权公告日为2020.08.25,提供了一种单晶硅片的制绒方法,主要包括:将单晶硅片两两相并成一组插入花篮内,再将盛载有单晶硅片的花篮放入制绒液,进行刻蚀反应;再将刻蚀完成的单晶硅片与花篮取出,依次进行高温清洗与低温清洗;低温清洗后的单晶硅片再进行分片;并经后续清洗与干燥,得到一面具有金字塔状绒面结构的单晶硅片。该制绒方法中高温清洗过程中,高温清洗液可促使贴合在一起的单晶硅片分离,有效清洗单晶硅片间的残留药液及反应产物;低温清洗时,两两一组的单晶硅片相互贴合,以使得两两一组的两片单晶硅片之间留存一定水分,即使得两两一组的单晶硅片实现“外干内湿”的效果,利于分片。

其中,虽然该方法能够将单晶硅片两两相并成一组插入花篮内,再将盛载有单晶硅片的花篮放入制绒液,但是这样的方式来清洗硅片清洗不完全,在硅片与花篮的插接位置无法进行很好的清洗。

因此,需要设计一种完全清洗的硅片清洗方法。

发明内容

本发明的目的是提供一种硅片清洗方法。

为了解决上述技术问题,本发明提供了一种硅片清洗方法,包括:将硅片依次插入齿杆上相邻两夹紧齿之间,以使硅片支撑在各支撑杆上;将安装好硅片后的花篮主体放至清洗池的池底;端板沿滑轨向推块滑动至三个支撑杆分别与推动面接触后,打开喷淋;继续推动端板使得推块推动支撑杆沿滑动槽由高处滑动至低处,并压缩撑开弹簧,以使硅片向支撑杆跌落并露出硅片与夹紧齿夹紧的区域;松开端板,撑开弹簧回弹,支撑杆推动各硅片整齐插回各夹紧齿之间。

进一步地,在花篮主体放至清洗池的池底后,通过推动电机实现端板的推动;在硅片清洗完成后,通过推动电机实现端板的松开。

进一步地,在三个支撑杆分别与推动面接触后,通过喷头喷出清洗液以喷淋硅片。

进一步地,在花篮主体置于清洗池的池底后,在两端板之间安装安装板;在喷头打开后,将安装板转动至盖合在硅片上;喷头喷出的清洗液收集在集水槽内并压迫刮板分别刮除两侧硅片表面的污渍。

进一步地,集水槽内收集足够清洗液后,刮板下降,通过刷头贴合硅片表面并刷除硅片表面的污渍;集水槽内的清洗液排空后,刮板上升,通过刮条贴合硅片表面并刮除硅片表面的水渍。

进一步地,在关闭喷头后,通过溢水孔排空所述集水槽内的清洗液。

进一步地,刮条刮除硅片表面的水渍后,通过刮条将清洗液导入疏水槽内;再通过疏水槽将清洗液从刮板的两侧排出。

进一步地,在花篮主体放至清洗池的池底后,通过联动片插入转轴,以使安装板转动;在安装板打开后,通过第二限位块支撑安装板;在安装板盖合在硅片上后,通过第一限位块支撑安装板。

进一步地,支撑杆沿滑动槽由高处向低处滑动时,支撑杆推动右侧的挡板,以使安装板盖合在硅片上;支撑杆沿滑动槽由低处向高处滑动时,支撑杆推动左侧的挡板,以使安装板打开。

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