[发明专利]一种量子点智慧照明QLED器件及其制备方法

权利要求书

1.一种量子点智慧照明QLED器件，其特征在于，包括从下往上依次设置的透明基板，空穴注入层，电荷收集层，光敏感层，混合量子点发光层，电子传输层和金属电极；

所述电荷收集层的材料采用氧化铜,氧化钨或硫氰酸亚铜；

所述光敏感层的材料采用聚(9,9-二辛基芴-CO-N-(4-丁基苯基)二苯胺)，聚[双(4-苯基)(4-丁基苯基)胺]或三(4-咔唑-9基-苯基)胺；

通过控制收集层电荷的捕获与释放，可以在给定电信号或光信号刺激下实现智能记忆调控的智慧照明。

2.根据权利要求1所述的一种量子点智慧照明QLED器件，其特征在于，所述混合量子点发光层采用混合单层红绿蓝量子点。

3.根据权利要求1所述的一种量子点智慧照明QLED器件，其特征在于，所述量子点材料包括为锡化镉量子点、磷化铟量子点、碳量子点、硅量子点、钙钛矿量子点。

4.根据权利要求1-3任一所述的一种量子点智慧照明QLED器件制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤S1:准备透明玻璃基底；

步骤S2:将空穴注入层旋沉积到玻璃基底上；

步骤S3:将涂覆空穴注入层的玻璃基底转移到N ₂填充的手套箱中，并分别将电荷收集层、光敏感层旋涂沉积到玻璃基底上；

步骤S4:将红绿蓝三种量子点以预设的比例混合，并旋涂沉积在光敏层上；

步骤S5:将电子传输层旋涂沉积在混合量子点层上；

步骤S6:将旋涂完各个功能层的器件转移到真空沉积设备中通过热蒸发系统在高真空下沉积金属电极，得到量子点智慧照明QLED器件。

5.根据权利要求4所述的一种量子点智慧照明QLED器件制备方法，其特征字在于，所述透明玻璃基底采用ITO玻璃基底。

6.根据权利要求5所述的一种量子点智慧照明QLED器件制备方法，其特征字在于，所述步骤S1具体为：

采用蘸有丙酮的棉球将ITO玻璃基底表面擦拭干净后将ITO玻璃用去离子水冲洗干净；

用丙酮，乙醇和去离子水连续超声清洗衬底ITO透明基板，将清洗好的ITO玻璃放入恒温干燥箱中干燥处理；

使用前用紫外线在空气中产生的臭氧处理增加玻璃基板表面的亲水性并提高ITO表面的功函数。

7.根据权利要求4所述的一种量子点智慧照明QLED器件制备方法，其特征字在于，所述红绿蓝三种量子点预设比例范围为1:2:3到1:10:50。