[发明专利]X波段宽脉冲大功率内匹配功率放大器在审
申请号: | 202110072591.3 | 申请日: | 2021-01-20 |
公开(公告)号: | CN112865720A | 公开(公告)日: | 2021-05-28 |
发明(设计)人: | 肖跃格;卢麒;黄旭 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | H03F3/189 | 分类号: | H03F3/189 |
代理公司: | 成都易创经云知识产权代理有限公司 51322 | 代理人: | 刘晓文 |
地址: | 610000 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 波段 脉冲 大功率 匹配 功率放大器 | ||
1.一种X波段宽脉冲大功率内匹配功率放大器,其特征在于:包括接地板、集成在接地板上端的介电衬底,和集成在介电衬底上的带状导线电路;所述带状导线电路包括依次连接的输入匹配电路、级间匹配电路和输出匹配电路,且在带状导线电路的两侧还扩展连接有偏置电路。
2.根据权利要求1所述的X波段宽脉冲大功率内匹配功率放大器,其特征在于:所述输入匹配电路作为输入端口,连接有RC稳定网络;所述输出匹配电路作为输出端口,且在输入端口和输出端口处均加入有一个隔直电容。
3.根据权利要求1所述的X波段宽脉冲大功率内匹配功率放大器,其特征在于:所述输入匹配电路和输出匹配电路用于将源阻抗和漏阻抗匹配至50欧姆。
4.根据权利要求1所述的X波段宽脉冲大功率内匹配功率放大器,其特征在于:所述输入匹配电路通过一RC并联电路与晶体管T1的基极连接,输入匹配电路通过一RC并联电路与晶体管T2的基极连接,所述晶体管T1的发射极接地,晶体管T2的发射极接地,晶体管T1的集电极和晶体管T2的集电极与级间匹配电路连接,且在晶体管T1的集电极和晶体管T2的集电极之间连接有电阻。
5.根据权利要求1所述的X波段宽脉冲大功率内匹配功率放大器,其特征在于:所述级间匹配电路一RC并联电路与晶体管T3的基极连接,级间匹配电路一RC并联电路与晶体管T4的基极连接,级间匹配电路一RC并联电路与晶体管T5的基极连接,级间匹配电路一RC并联电路与晶体管T6的基极连接;
所述晶体管T3、晶体管T4、晶体管T5和晶体管T6的发射极接地,晶体管T3的集电极、晶体管T4的集电极、晶体管T5的集电极和晶体管T6的集电极与输出匹配电路连接,且在晶体管T3的集电极和晶体管T4的集电极之间连接有电阻,晶体管T5的集电极和晶体管T6的集电极之间连接有电阻。
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