[发明专利]半导体器件和用于制造半导体晶片的方法

权利要求书

1.一种用于制造半导体晶片的方法，所述方法包括：

在具有厚度t_w的异质晶片的第一表面上外延生长III-V族半导体，第一表面能够支持至少一个III-V族半导体层的外延生长，异质晶片具有与第一表面相对的第二表面；

移除III-V族半导体的部分以产生包括被布置在异质晶片的第一表面上的III-V族半导体的多个台面；

将绝缘层施加到异质晶片的被布置在台面之间的区；

逐渐地移除异质晶片的第二表面的部分，暴露在与台面相邻的区中的绝缘层，并且产生经加工的第二表面。

2.根据权利要求1所述的方法，进一步包括移除异质晶片的第一表面的部分，以在横向上相邻于台面的区中形成经加工的第一表面并且形成在异质晶片的第一表面与III-V族半导体结构之间的界面，该界面跨台面的宽度延伸。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，逐渐地移除异质晶片第二表面的部分包括将晶片的在台面下方的厚度t_w减小到厚度t，其中，t≤20μm，或者t≤2μm或t≤1μm。

4.根据权利要求1至3之一所述的方法，其中，移除异质晶片的第二表面的部分包括由研磨晶片的第二表面、抛光晶片的第二表面、化学机械抛光晶片的第二表面和蚀刻晶片的第二表面构成的组中的至少之一。

5.根据权利要求1至4中的任何一项所述的方法，其中施加绝缘层包括：

将绝缘层沉积到台面和在台面之间的区上，使得绝缘层具有至少与台面的高度一样大的厚度，并且台面被利用绝缘层覆盖；

对绝缘层进行平坦化并且形成包括台面的上表面和绝缘层的上表面的被平坦化的表面。

6.根据权利要求5所述的方法，进一步包括：

在绝缘层上形成被结构化的掩模，被结构化的掩模具有在台面上方的开口，开口具有小于台面的横向面积的横向面积；

移除在开口内的绝缘层的部分并且减小布置在台面上方的绝缘层的部分的厚度；以及

逐渐地移除掩模和绝缘层的部分以产生包括台面的上表面和绝缘层的上表面的被平坦化的表面。

7.根据权利要求1至6之一所述的方法，进一步包括在晶片的被布置在台面之间的区上以及可选地在台面的侧面上形成停止层，并且移除晶片的第二表面的部分包括暴露在与台面相邻的区中的停止层。

8.根据权利要求1至7之一所述的方法，进一步包括在III-V族半导体上形成金属化结构，金属化结构为晶体管结构提供源极、栅极和漏极。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，金属化结构包括：被布置在每个台面上的栅极指状物和漏极指状物；

漏极总线，其将布置在第一台面上的第一漏极指状物与布置在第二台面上的第二漏极指状物电耦合，漏极总线至少部分地在绝缘层上被布置成在横向上相邻于第一台面和第二台面；以及

栅极总线，其将布置在第一台面上的第一栅极指状物与布置在第二台面上的第二栅极指状物电耦合，栅极总线至少部分地在绝缘层上被布置成在横向上相邻于第一台面和第二台面。

10.根据权利要求8或9所述的方法，金属化结构进一步包括位于第一台面和第二台面之间的绝缘层中的至少一个源极通孔，其中，所述至少一个源极通孔被电耦合到源极区，源极区被布置在绝缘层上并且在第一台面和第二台面之间延伸，并且被电耦合到在经加工的第二表面上的金属层。

11.根据权利要求1至10之一所述的方法，其中，III-V族半导体是III族氮化物，并且异质晶片是单晶硅。