[发明专利]一种高发射率高熵陶瓷粉体材料及涂层制备方法有效
申请号: | 202110073088.X | 申请日: | 2021-01-20 |
公开(公告)号: | CN112830769B | 公开(公告)日: | 2021-10-22 |
发明(设计)人: | 高明浩;栾胜家;王远鸿;周恬伊;朱宏博;常辉;徐娜;张甲;侯万良;常新春 | 申请(专利权)人: | 中国科学院金属研究所 |
主分类号: | C04B35/01 | 分类号: | C04B35/01;C04B35/622;C04B35/626 |
代理公司: | 沈阳优普达知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 21234 | 代理人: | 张志伟 |
地址: | 110016 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 发射 率高熵 陶瓷 材料 涂层 制备 方法 | ||
1.一种高发射率高熵陶瓷粉体材料,其特征在于,按原子比计,该材料的化学成分为CraNibTixSmyAl(1-a-b-x-y)O(3+x-b)/2,其中:a=0.58~0.69,b=0.20~0.24,x=0.08~0.09,y=0.009~0.02,高发射率高熵陶瓷涂层的室温发射率不小于0.9,1200℃发射率不小于0.85。
2.按照权利要求1所述的高发射率高熵陶瓷粉体材料,其特征在于,该材料通过固相烧结法和机械破碎法进行制备,先将金属氧化物按照质量百分数:NiO 20~24%,TiO2 8~9%,Sm2O3 0.5~4%,Al2O3 2~5%,Cr2O3 余量,进行混合配制后在球磨机中研磨6~10h,再在20~22MPa下将粉末压制成陶瓷块体,将陶瓷块体在1550±50℃条件下烧结3~5h,最后通过机械破碎法制备成高发射率高熵陶瓷粉体材料。
3.按照权利要求2所述的高发射率高熵陶瓷粉体材料,其特征在于,该材料的粒度组成为:-800目:≤10wt%;-200目~+800目:≥85wt%;+200目:≤5wt%。
4.按照权利要求2所述的高发射率高熵陶瓷粉体材料,其特征在于,该材料的松装密度为1.5~2.5g/cm3。
5.按照权利要求2所述的高发射率高熵陶瓷粉体材料,其特征在于,该材料的粉体颗粒呈等轴状或多面体型。
6.按照权利要求2所述的高发射率高熵陶瓷粉体材料,其特征在于,该材料的成品率为65~70%。
7.一种使用权利要求1至6之一所述材料的高发射率高熵陶瓷涂层制备方法,其特征在于,采用大气等离子喷涂将高发射率高熵陶瓷粉体材料喷涂在覆有MCrAlY粘结层的基体表面,M为Co或Ni;首先,采用大气等离子喷涂在基体表面制备MCrAlY粘结层,喷涂参数:主气Ar流量98~102 SCFH,辅气H2流量5.5~8 SCFH,功率31~34 kW;然后,采用大气等离子喷涂在MCrAlY粘结层表面制备高发射率高熵陶瓷涂层,喷涂参数:主气Ar流量97~104 SCFH,辅气H2流量5.5~9 SCFH,功率35~38 kW。
8.按照权利要求7所述的高发射率高熵陶瓷涂层制备方法,其特征在于,粘结层孔隙率≯5%,高发射率高熵陶瓷涂层孔隙率为5~15%。
9.按照权利要求7所述的高发射率高熵陶瓷涂层制备方法,其特征在于,高发射率高熵陶瓷涂层外观呈均匀的灰黑色,涂层完整、连续,无裂纹、剥落、缺口和边缘翘起缺陷。
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