[发明专利]感测芯片及MEMS传感器在审

专利信息
申请号: 202110073226.4 申请日: 2021-01-19
公开(公告)号: CN112822616A 公开(公告)日: 2021-05-18
发明(设计)人: 邱冠勋;周宗燐 申请(专利权)人: 潍坊歌尔微电子有限公司
主分类号: H04R19/04 分类号: H04R19/04
代理公司: 深圳市世纪恒程知识产权代理事务所 44287 代理人: 梁馨怡
地址: 261000 山东省潍坊市潍坊高新区新*** 国省代码: 山东;37
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摘要:
搜索关键词: 芯片 mems 传感器
【权利要求书】:

1.一种感测芯片,其特征在于,包括:

背极,所述背极上设有凸出于所述背极表面的凸部;

振膜,所述振膜与所述背极层叠且间隔设置,所述凸部设置在所述背极朝向所述振膜的表面上;所述振膜朝向所述背极形变时,所述振膜与所述凸部接触的部位的厚度大于所述振膜未与所述凸部接触的部位的厚度。

2.如权利要求1所述的感测芯片,其特征在于,在所述振膜的振动方向上,所述振膜对应于所述凸部的位置均设有增厚件。

3.如权利要求2所述的感测芯片,其特征在于,所述增厚件设于所述振膜朝向所述凸部的表面;和/或,

所述增厚件设于所述振膜背离所述凸部的表面。

4.如权利要求2所述的感测芯片,其特征在于,所述增厚件的材质与所述振膜的材质相同,且所述增厚件和所述振膜一体成型。

5.如权利要求2所述的感测芯片,其特征在于,所述增厚件的材质与所述振膜的材质不同。

6.如权利要求5所述的感测芯片,其特征在于,所述增厚件和所述振膜分体成型,所述振膜至少具有一个平面,所述增厚件与所述振膜的平面固定连接。

7.如权利要求5所述的感测芯片,其特征在于,所述振膜对应所述凸部的表面朝所述背极方向弯曲形成容置槽,所述增厚件嵌设于所述容置槽内。

8.如权利要求1所述的感测芯片,其特征在于,所述背极的数量为两个,所述振膜的数量为一个,两个所述背极分别位于一个所述振膜的相背的两侧;或,

所述振膜的数量为两个,所述背极的数量为一个,两个所述振膜分别位于一个所述背极的相背的两侧。

9.如权利要求1所述的感测芯片,其特征在于,所述振膜至少包括一导电层和一绝缘层,所述导电层和所述绝缘层贴合设置,且所述绝缘层朝向所述背极;或,

所述背极至少包括一导电层和一绝缘层,所述导电层和所述绝缘层贴合设置,且所述绝缘层朝向所述振膜。

10.如权利要求1至9中任一项所述的感测芯片,其特征在于,所述感测芯片还包括:

基底,所述振膜以及所述背极按照由远及近的位置依次层叠设于所述基底上,或,所述背极以及所述振膜按照由远及近的位置依次层叠设于所述基底上。

11.一种MEMS传感器,其特征在于,所述MEMS传感器包括权利要求1至10任一项所述的感测芯片。

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