[发明专利]可配置软封装后修复(SPPR)方案在审
申请号: | 202110074229.X | 申请日: | 2021-01-20 |
公开(公告)号: | CN113362883A | 公开(公告)日: | 2021-09-07 |
发明(设计)人: | G·霍韦;J·E·赖利 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
主分类号: | G11C29/44 | 分类号: | G11C29/44 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 王龙 |
地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 配置 封装 修复 sppr 方案 | ||
1.一种存储器装置,其包括:
激活电路系统,其包括被配置成在激活后发送输入信号的模式寄存器位或控制反熔丝;和
逻辑元件,其被配置成:
接收所述输入信号;和
在接收到所述输入信号后发送配置信号,其中所述配置信号启用多行修复模式。
2.根据权利要求1所述的存储器装置,其进一步包括:
SPPR电路系统,其被配置成:
接收所述配置信号,其中所述配置信号提供多个地址行;
进入所述多行修复模式以修复所提供的多个地址行;以及
比较多个所存储的地址行与所述所提供的多个地址行。
3.根据权利要求1所述的存储器装置,其中所述模式寄存器位和所述控制反熔丝经由所述逻辑元件上的输入端子连接到所述逻辑元件。
4.根据权利要求1所述的存储器装置,其中所述模式寄存器位经由开关在单行替换与多行替换之间交替。
5.根据权利要求1所述的存储器装置,其中所述模式寄存器位经由命令输入在单行替换与多行替换之间交替。
6.根据权利要求1所述的存储器装置,其中所述模式寄存器位在软封装后修复SPPR的单行替换或多行替换之间交替。
7.根据权利要求6所述的存储器装置,其中所述SPPR修复单个地址且HPPR修复多个地址。
8.一种用于软封装后修复SPPR的方法,其包括:
经由激活电路系统将输入信号从模式寄存器位或反熔丝发送到逻辑元件;
在接收到所述输入信号之后经由所述逻辑元件将配置信号发送到SSPR电路系统;以及
经由所述SSPR电路系统且在接收到所述配置信号之后启用多行地址修复模式。
9.根据权利要求8所述的方法,其中所述配置信号为逻辑高信号。
10.根据权利要求8所述的方法,所述多行地址修复模式比较多个所提供地址与多个所存储地址,且其中所述多个所提供地址通过所述配置信号确定。
11.根据权利要求8所述的方法,其中所述模式寄存器位在接收到命令输入之后发送所述输入信号。
12.根据权利要求8所述的方法,其中所述模式寄存器位在经由开关激活之后发送所述输入信号。
13.根据权利要求8所述的方法,其中所述反熔丝经熔断以发送所述输入信号。
14.一种存储器装置,其包括:
存储器组,其包括存储器单元的多个可寻址群组,其中存储器单元的所述多个可寻址群组包括可寻址群组的主要集合和可寻址群组的次要集合;和
控制电路系统,其被配置成激活所述多个可寻址群组中的可寻址群组,所述控制电路系统包括:
第一修复电路系统,其包括被配置成存储对应于在第一模式下修复的所述多个可寻址群组中的第一有缺陷的可寻址群组的地址的第一集合的第一非易失性存储器;
第二修复电路系统,其包括被配置成存储对应于在第二模式下修复的所述多个可寻址群组中的第二有缺陷的可寻址群组的地址的第二集合的第二非易失性存储器;
激活电路系统,其包括被配置成在激活后发送输入信号的模式寄存器位或控制反熔丝;以及
逻辑元件,其被配置成:
接收所述输入信号;和
在接收到所述输入信号后发送配置信号,其中所述配置信号启用所述第一有缺陷的可寻址群组或所述第二有缺陷的可寻址群组的多行修复模式。
15.根据权利要求14所述的存储器装置,其中所述模式寄存器位和所述控制反熔丝经由所述逻辑元件上的输入端子连接到所述逻辑元件。
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