[发明专利]一种R-Fe-B系稀土烧结磁体的晶界扩散处理方法在审
| 申请号： | 202110074831.3 | 申请日： | 2021-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN112908672A | 公开（公告）日： | 2021-06-04 |
| 发明（设计）人： | 师大伟;钟可祥;吴茂林 | 申请（专利权）人： | 福建省长汀金龙稀土有限公司;厦门钨业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01F41/02 | 分类号： | H01F41/02;H01F1/057;H01F1/055 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 366300 福建*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 fe 稀土 烧结 磁体 扩散 处理 方法 | ||
1.一种R-Fe-B系稀土烧结磁体的晶界扩散处理方法，其特征在于：包括R-Fe-B烧结坯体、以及含HR和M的扩散源；所述R-Fe-B烧结坯体具有磁化方向及若干表面，与磁化方向垂直的表面为取向面，除取向面外的表面为非取向面；向所述R-Fe-B烧结坯体的至少一个非取向面施加所述扩散源，使得HR沿所述R-Fe-B烧结坯体垂直于磁化方向进行晶界扩散，之后热处理制得所述R-Fe-B系烧结磁体；
所述R为稀土元素并至少包括Nd，所述HR是选自Dy、Tb、Ho、Er、Tm、Y、Yb、Lu、Gd中的至少一种，所述M选自Al、Cu、Ga、Bi、Sn、Pb、In中的至少一种；所述扩散源中，所述M的含量为2wt％以上且30wt％以下。
2.根据权利要求1所述R-Fe-B系稀土烧结磁体的晶界扩散处理方法，其特征在于：所述扩散源包括HR、M和T，所述T选自Fe、Co、Ni中的至少一种。
3.根据权利要求2所述R-Fe-B系稀土烧结磁体的晶界扩散处理方法，其特征在于：所述扩散源中所述HR的含量为60wt％以上，所述M的含量为2wt％以上且30wt％以下，余量为T。
4.根据权利要求1所述R-Fe-B系稀土烧结磁体的晶界扩散处理方法，其特征在于：所述R-Fe-B系烧结坯体中，所述R的含量为28wt％-33wt％，所述Fe、或Fe和Co的含量为65.2wt％-70.5wt％，所述B的含量为0.83wt％-0.96wt％。
5.根据权利要求1所述R-Fe-B系稀土烧结磁体的晶界扩散处理方法，其特征在于：施加所述扩散源的非取向面为扩散面；沿扩散方向，与扩散面距离越近的点的HR含量越高，与扩散面距离不超过500μm内的任意两点的HR含量的比值为0.1-1.0。
6.根据权利要求1所述R-Fe-B系稀土烧结磁体的晶界扩散处理方法，其特征在于：所述扩散源为合金靶，所述施加扩散源的方法为物理气相沉积。
7.根据权利要求1所述R-Fe-B系稀土烧结磁体的晶界扩散处理方法，其特征在于：所述扩散源为附着薄膜的耐高温载体，所述薄膜含HR、M和T，所述耐高温载体选自Mo、W、Nb、Ta、Ti、Hf、Zr、V、Re的周期表IVB族、VB族、VIB或VIIB族的一种金属或者上述材料的合金制成。
8.根据权利要求4所述R-Fe-B系稀土烧结磁体的晶界扩散处理方法，其特征在于：所述R-Fe-B系烧结坯体还包括0.05wt％-20wt％的T`，所述T`选自Al、Cu、Ga、Co、Zn、Si、Ti、V、Cr、Mn、Ge、Zr、Nb、Mo、Pd、Ag、Cd、Sb、Hf、Ta、W、O、C、N、S、F、P中的至少1种元素。
9.根据权利要求1所述R-Fe-B系稀土烧结磁体的晶界扩散处理方法，其特征在于：所述R-Fe-B烧结坯体为方形坯体，所述扩散源施加于四个非取向面。
10.一种R-Fe-B系稀土烧结磁体，其特征在于：使用权利要求1-9任一项所述R-Fe-B系稀土烧结磁体的晶界扩散处理方法制得。
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