[发明专利]湿式蚀刻方法和蚀刻液

权利要求书

1.一种湿式蚀刻方法，其特征在于，其是使用蚀刻液对基板上的含金属膜进行蚀刻的湿式蚀刻方法，

所述蚀刻液是β-二酮及有机溶剂的溶液，所述β-二酮是三氟甲基与羰基键合而成的β-二酮，

所述含金属膜包含能够与所述β-二酮形成络合物的金属元素，

所述蚀刻液中所包含的水的量为1质量％以下。

2.一种湿式蚀刻方法，其特征在于，其是使用蚀刻液对基板上的含金属膜进行蚀刻的湿式蚀刻方法，

所述蚀刻液是β-二酮、有机溶剂及过氧化物的添加剂的溶液，所述β-二酮是三氟甲基与羰基键合而成的β-二酮，

所述含金属膜包含能够与所述β-二酮形成络合物的金属元素，

所述蚀刻液中所包含的水的量为1质量％以下。

3.根据权利要求1或2所述的湿式蚀刻方法，其特征在于，所述金属元素是选自由Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Re、Fe、Ru、Os、Co、Rh、Ir、Ni、Pd、Pt、Cu、Ag、Au、Zn、Cd、Al、Ga、In、Sn、Pb和As组成的组中的至少1种金属元素。

4.根据权利要求1或2所述的湿式蚀刻方法，其特征在于，所述含金属膜是所述金属元素的单质的膜、包含所述金属元素的合金的膜或包含所述金属元素的化合物的膜中的任一种。

5.根据权利要求1或2所述的湿式蚀刻方法，其特征在于，所述有机溶剂是选自由一级醇、二级醇、三级醇、苄醇、醚、酯、酮、胺、酰胺、甘醇、甘醇醚和卤代烷烃组成的组中的至少1种有机溶剂。

6.根据权利要求5所述的湿式蚀刻方法，其特征在于，所述有机溶剂是选自由异丙醇、甲醇、乙醇、丙二醇单甲醚乙酸酯、甲乙酮、和丙酮组成的组中的至少1种有机溶剂。

7.根据权利要求1或2所述的湿式蚀刻方法，其特征在于，所述蚀刻液中的所述β-二酮的浓度为1～80质量％。

8.根据权利要求1或2所述的湿式蚀刻方法，其特征在于，所述β-二酮是选自由六氟乙酰丙酮、三氟乙酰丙酮、1,1,1,6,6,6-六氟-2,4-己二酮、4,4,4-三氟-1-(2-噻吩基)-1,3-丁二酮、4,4,4-三氟-1-苯基-1,3-丁二酮、1,1,1,5,5,5-六氟-3-甲基-2,4-戊二酮、1,1,1,3,5,5,5-七氟-2,4-戊二酮和1,1,1-三氟-5,5-二甲基-2,4-己二酮组成的组中的至少1种。

9.根据权利要求2所述的湿式蚀刻方法，其特征在于，所述添加剂是选自由过氧化氢、过乙酸、过碳酸钠、过硫酸铵、过硫酸钠、过硫酸钾和过氧硫酸钾组成的组中的至少1种。

10.根据权利要求2所述的湿式蚀刻方法，其特征在于，所述添加剂的添加量相对于蚀刻液为0.01～20质量％。

11.根据权利要求1或2所述的湿式蚀刻方法，其特征在于，在所述湿式蚀刻方法中，蚀刻时的蚀刻液的温度为-10～100℃。

12.根据权利要求1或2所述的湿式蚀刻方法，其特征在于，在所述湿式蚀刻方法中，蚀刻时的蚀刻时间为60分钟以内。

13.根据权利要求1或2所述的湿式蚀刻方法，其特征在于，所述基板的材料为硅系半导体材料或硅酸盐玻璃材料。

14.一种蚀刻液，其特征在于，仅由如下组成：选自由异丙醇、甲醇、乙醇、丙二醇单甲醚乙酸酯、甲乙酮和丙酮组成的组中的至少1种有机溶剂；及三氟甲基与羰基键合而成的β-二酮，所包含的水的量为1质量％以下。