[发明专利]一种单光子源集成器件加工方法

权利要求书

1.一种单光子源集成器件加工方法，其特征在于，包括：

通过分子束外延工艺，在生长衬底上依次生长牺牲层和自组装量子点层；

通过外延层剥离工艺，将所述自组装量子点层转移到器件衬底上；

通过外延层剥离工艺，将所述自组装量子点层转移到器件衬底上，包括：

使用缓冲氧化物刻蚀液蚀刻所述牺牲层，以将所述自组装量子点层与所述生长衬底分离；

将分离出的所述自组装量子点层置于疏水性溶液，以通过所述疏水性溶液的表面张力使所述自组装量子点层漂浮于所述疏水性溶液表面；

使用器件衬底从所述疏水性溶液拾取所述自组装量子点层，从而将所述自组装量子点层转移到所述器件衬底上；

在所述生长衬底上生长牺牲层；在所述牺牲层上生长底部势垒层，在所述底部势垒层上制备纳米孔，使用量子点材料填充制备的纳米孔，填充纳米孔后生长顶部阻挡层，从而形成自组装量子点层；

在所述牺牲层上生长底部势垒层之前，在所述牺牲层上生长缓冲层；

在所述顶部阻挡层上形成平滑表面层和钝化层。

2.根据权利要求1所述的单光子源集成器件加工方法，其特征在于，将所述自组装量子点层转移到器件衬底上之后，还包括：

在所述自组装量子点层上制备纳米光学元件；和/或

在所述器件衬底上制备量子光子回路。

3.根据权利要求1所述的单光子源集成器件加工方法，其特征在于，使用缓冲氧化物刻蚀液蚀刻所述牺牲层之前，还包括：使用抗腐蚀剂在所述自组装量子点层上形成抗腐蚀层；

使用器件衬底从所述疏水性溶液拾取所述自组装量子点层之后，还包括：溶解所述抗腐蚀层。

4.根据权利要求3所述的单光子源集成器件加工方法，其特征在于，使用缓冲氧化物刻蚀液蚀刻所述牺牲层之前，还包括：将通过分子束外延工艺得到的量子点晶片切割成预定大小的晶片。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的单光子源集成器件加工方法，其特征在于，所述自组装量子点层为III-V族化合物自组装量子点层。

6.根据权利要求1至4中任一项所述的单光子源集成器件加工方法，其特征在于，所述自组装量子点层的量子点为GaAs。