[发明专利]一种ALD加工设备以及加工方法在审
申请号: | 202110076822.8 | 申请日: | 2021-01-20 |
公开(公告)号: | CN112899657A | 公开(公告)日: | 2021-06-04 |
发明(设计)人: | 万军;王辉;廖海涛;王斌 | 申请(专利权)人: | 无锡市邑晶半导体科技有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455 |
代理公司: | 北京众达德权知识产权代理有限公司 11570 | 代理人: | 安磊 |
地址: | 214028 江苏省无锡市新*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 ald 加工 设备 以及 方法 | ||
1.一种ALD加工设备,其特征在于,所述加工设备包括:
反应器,所述反应器包括真空腔室以及反应腔室,所述反应腔室内置于所述真空腔室内,所述反应腔室顶部敞口,所述反应腔室的底部开设有进气通道及出气通道,所述进气通道和所述出气通道以所述反应腔室的底部的中心线相对设置,所述真空腔室的侧面上相对设置有第一料口以及第二料口;
升降装置,所述升降装置设置在所述反应器上,所述升降装置的输出端沿竖向伸缩,所述升降装置的输出端上设置有封盖,所述封盖可操作地将所述反应腔室顶部密封;
抓取装置,所述抓取装置设置在所述封盖上,所述抓取装置用于抓取输送至所述真空腔室内的基体;
送料腔室以及出料腔室,所述送料腔室以及所述出料腔室分别设置在所述反应器的两侧,所述送料腔室设置有第三料口以及第四料口,所述第三料口和所述第一料口连通设置,所述第三料口和所述第一料口之间设置有可开启的第一密封门,所述送料腔室上设置有可将所述第四料口开闭的第二密封门,所述送料腔室内设置有用于将基体输送至所述真空腔室内的第一输送装置,所述出料腔室设置有第五料口以及第六料口,所述第五料口和所述第二料口连通设置,所述第五料口和所述第二料口之间设置有可开启的第三密封门,所述出料腔室上设置有可将所述第六料口密封的第四密封门,所述出料腔室内设置有用于将加工完毕的基体从所述真空腔室转出到所述出料腔室内的第二输送装置。
2.根据权利要求1所述的ALD加工设备,其特征在于,所述进气通道为孔状,所述进气通道设置有多个,多个所述进气通道设置在所述反应腔室的底部的一侧;
所述出气通道为孔状,所述出气通道也设置有多个,多个所述出气通道设置在所述反应腔室的底部的另一侧。
3.根据权利要求2所述的ALD加工设备,其特征在于,所述进气通道设置有多组,多组所述进气通道依次设置,每组所述进气通道均呈弧形,每组所述进气通道的各个进气通道的孔径向靠近所述反应腔室的底部的中心线的方向依次减小;
所述出气通道设置有多组,多组所述出气通道依次设置,每组所述出气通道均呈弧形,每组所述出气通道的各个进气通道的孔径向靠近所述反应腔室的底部的中心线的方向依次减小。
4.根据权利要求1所述的ALD加工设备,其特征在于,所述反应腔室内设置有两个匀气板,两个所述匀气板以所述反应腔室的底部的中心线相对设置,两个所述匀气板设置在所述进气通道及出气通道之间,两个所述匀气板将所述反应腔室分割成进气腔室、反应腔室以及出气腔室,每个所述匀气板上均设置多个通孔。
5.根据权利要求1所述的ALD加工设备,其特征在于,所述反应腔室的底部固定设置有中转腔室,所述中转腔室的顶部敞口,所述反应腔室的底部覆盖在所述中转腔室的顶部上,所述中转腔室内设置有两个隔板,两个所述隔板将所述中转腔室分割成第一腔室、第二腔室以及第三腔室,所述进气通道和所述第一腔室连通,所述出气通道和所述第三腔室连通,所述第一腔室的底部设置有进气主孔,所述第三腔室的底部设置有出气主孔。
6.根据权利要求1所述的ALD加工设备,其特征在于,所述加工设备还包括:
第一加热器,所述第一加热器设置在所述封盖的顶部上,所述第一加热器的输出端作用在所述封盖上;
第二加热器,所述第二加热器设置在所述反应腔室的外侧壁和所述真空腔室的内侧壁之间,所述第二加热器的输出端作用在所述反应腔室的侧壁上;
第三加热器,所述第三加热器设置在所述反应腔室的底部和所述真空腔室的底部之间,所述第三加热器作用在所述反应腔室的底部上。
7.根据权利要求6所述的ALD加工设备,其特征在于,所述加工设备还包括第一热反射组件、第二热反射组件、第三热反射组件,其中:
所述第一热反射组件设置在所述第一加热器和所述真空腔室的顶部之间;
所述第二热反射组件设置在所述第二加热器和所述真空腔室的侧部之间;
所述第三热反射组件设置在所述第三加热器和所述真空腔室的底部之间。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的