[发明专利]一种折叠式共源共栅结构全差分运算放大器

权利要求书

1.一种折叠式共源共栅结构全差分运算放大器，其特征在于：包括PMOS管P₁、PMOS管P₂、NMOS管N₁、NMOS管N₂、NMOS管N₃、NMOS管N₄、NMOS管N₅、NMOS管N₆、NMOS管N₇和NMOS管N₈；

电压源VDD经偏置电流源I_B2连接到PMOS管P₁的源极，所述PMOS管P₁的栅极经偏置电压源V_B2连接到PMOS管P₂的栅极，所述PMOS管P₁的漏极连接到NMOS管N₇的漏极并作为运算放大器的反相输出端V_out-，所述NMOS管N₇的栅极连接到辅助放大器A的反相输出端V_o-，所述NMOS管N₇的源极分别连接到辅助放大器A的反相输入端V_i-和NMOS管N₅的漏极，所述NMOS管N₅的栅极经偏置电压源V_B4连接到NMOS管N₆的栅极，所述NMOS管N₅的源极接地；所述电压源VDD还经偏置电流源I_B3连接到PMOS管P₂的源极，所述PMOS管P₂的漏极连接到NMOS管N₈的漏极并作为运算放大器的正相输出端V_out+，所述NMOS管N₈的栅极连接到辅助放大器A的正相输出端V_o+，所述NMOS管N₈的源极分别连接到辅助放大器A的正相输入端V_i+和NMOS管N₆的漏极，所述NMOS管N₆的源极接地；

所述NMOS管N₃的漏极连接到PMOS管P₁的源极，所述NMOS管N₃的栅极经电压源VDD连接到NMOS管N₄的栅极，所述NMOS管N₃的源极连接到NMOS管N₁的漏极，所述NMOS管N₁的栅极作为运算放大器的正相输入端V_in+，所述NMOS管N₁的源极经偏置电流源I_B1接地；所述NMOS管N₄的漏极连接到PMOS管P₂的源极，所述NMOS管N₄的源极连接到NMOS管N₂的漏极，所述NMOS管N₂的栅极作为运算放大器的反相输入端V_in-，所述NMOS管N₂的源极经偏置电流源I_B1接地。

2.根据权利要求1所述的折叠式共源共栅结构全差分运算放大器，其特征在于：所述偏置电流源I_B2和偏置电流源I_B3选用单层MOS高输出电阻电流源。