[发明专利]一种半导体晶圆的贴膜设备

说明书

本发明公开了一种半导体晶圆的贴膜设备，其结构设有架台、防尘盖板、膜卷、运作台、控板，防尘盖板活动连接在架台的后侧顶部位置，膜卷嵌入安装在防尘盖板下方，运作台安装在架台上方，控板与架台为一体化结构且位于其前侧顶部位置，通过刀割柱始终在镂径中活动，侧周受抵体触压，附带的胶质物被抵截块拦截，对其有摩擦铲刮的效果，助撑接杆的伸缩弹性性质，辅助接触刀割柱而缓冲相互作用力，前抵端受力形变，令受挤囊内部气压变化，且在引径通透的结构下，使内腔内产生吸附力，可以将刀割柱侧周残有的絮状胶质物经由引径吸入，对刀割柱在作业中，及时进行附着物的清理。

技术领域

本发明属于晶圆涂膜领域，更具体地说，尤其是涉及到一种半导体晶圆的贴膜设备。

背景技术

晶圆是制成半导体的硅晶片，晶圆的加工工艺中需要运用贴膜设备在片状面覆贴一层保护膜，便于晶圆在后续切割作业中为其起到保护作用，贴膜机为晶圆贴膜作业时，膜通常在传送中会被在其底端面上刷过一层胶水，而后覆贴于晶圆片上，完成晶圆的贴膜。

基于上述本发明人发现，现有的半导体晶圆的贴膜设备存在以下不足：

覆贴上胶膜后的晶圆呈堆叠多层放置，在对贴膜后的多层晶圆片进行统一胶膜边缘裁切时，由于裁断后胶水会从膜与晶圆的间隙部分溢出并粘附在切割刀外侧，随圆切刀进行位移，导致其外侧端有胶质结絮物，在后续边缘裁切作业时，影响晶圆圆弧边的裁断流畅度。

因此需要提出一种半导体晶圆的贴膜设备。

发明内容

针对现有技术存在的不足，本发明目的是提供一种半导体晶圆的贴膜设备，以解决现有技术的问题。

为了实现上述目的，本发明是通过如下的技术方案来实现：一种半导体晶圆的贴膜设备，其结构设有架台、防尘盖板、膜卷、运作台、控板，所述防尘盖板活动连接在架台的后侧顶部位置，所述膜卷嵌入安装在防尘盖板下方，所述运作台安装在架台上方，所述控板与架台为一体化结构且位于其前侧顶部位置。

所述运作台设有底台面、侧支柱、承载台、转体、顶合盖，所述侧支柱嵌固连接在底台面两侧，所述承载台位于顶合盖下方，所述转体与顶合盖为一体化结构且活动连接在其中间区段，所述转体活动于承载台上方。

作为本发明的进一步改进，所述转体设有外限圈、转卡块、带转盘、行轨、刀割柱，所述转卡块连接在外限圈内侧边缘端，所述转卡块与带转盘相连接且活动配合，所述行轨与带转盘为一体化结构，所述刀割柱活动卡合在行轨中，所述带转盘呈圆形板面结构，所述刀割柱可进行升降和卡合着行轨的位移活动。

作为本发明的进一步改进，所述行轨设有镂径、抵体、侧行腔，所述镂径与行轨为一体化且设在其中间位置，所述侧行腔位于镂径外侧，所述抵体嵌入连接在侧行腔内部，所述抵体前端活动于镂径侧边端，所述抵体设有两个，且关于镂径呈对称分布。

作为本发明的进一步改进，所述抵体设有衔接块、助撑接杆、抵截块、顶力簧，所述顶力簧连接在衔接块前端，所述助撑接杆前端与抵截块铰接连接且活动配合，所述顶力簧连接在衔接块与抵截块之间且活动配合，所述助撑接杆呈侧八结构。

作为本发明的进一步改进，所述助撑接杆设有实块、前抵端、受挤囊、引径、内腔，所述实块与内腔为一体化结构且设在其后端，所述前抵端活动连接在内腔外侧，所述受挤囊位于前抵端内侧端，所述引径连接于前抵端内侧，所述内腔呈空心状态，所述前抵端呈弧瓣状，且受力可进行形变，所述引径为左右通透的腔径。

作为本发明的进一步改进，所述前抵端设有伸缩接架、连接簧、抨击球、形变腔，所述伸缩接架嵌入安装在形变腔内部中间端位置，所述连接簧穿接过伸缩接架，所述抨击球与连接簧相连接且活动配合，所述伸缩接架具有伸缩性，所述抨击球设有两个，所述抨击球自身具有重压力。