[发明专利]一种适用于单晶小硅块的拼棒方法及应用

权利要求书

1.一种适用于单晶小硅块的拼棒方法，其特征在于：利用拼棒胶膜将至少两个单晶小硅块沿厚度方向拼接形成一定长度的方棒，再对方棒进行高温固化。

2.根据权利要求1所述的拼棒方法，其特征在于：所述拼棒胶膜选自双组份氧化铜无机胶、耐高温陶瓷胶、双组份常温固化陶瓷胶、双组份耐磨陶瓷胶、有机粘接固体胶、酚醛丁腈类树脂、双马结构胶、氰酸脂类胶、环氧结构胶和丙烯酸改性环氧胶中的一种。

3.根据权利要求1所述的拼棒方法，其特征在于：所述拼棒胶膜的厚度为50~200um。

4.根据权利要求1所述的拼棒方法，其特征在于：所述高温固化的温度为120~160℃，所述高温固化的时间为30~120min。

5.根据权利要求1所述的拼棒方法，其特征在于：利用拼棒胶膜将至少两个所述单晶小硅块沿厚度方向拼接形成一定长度的方棒之前，还包括对拼棒胶膜进行预处理。

6.根据权利要求5所述的拼棒方法，其特征在于：所述预处理是将拼棒胶膜常温放置0.5~1h或使用热风设备对拼棒胶膜进行预热。

7.根据权利要求1所述的拼棒方法，其特征在于：在利用拼棒胶膜将至少两个单晶小硅块沿厚度方向拼接形成一定长度的方棒之前，还包括对所述单晶小硅块的拼接面进行打磨。

8.根据权利要求7所述的拼棒方法，其特征在于：将所述单晶小硅块拼接形成方棒之后，还包括对方棒进行加压固定。

9.根据权利要求8所述的拼棒方法，其特征在于：所述加压固定的压力为45~150N，时间为30~120min。

10.根据权利要求9所述的拼棒方法，其特征在于：加压固定后所述单晶小硅块之间的拼接缝厚度≤10um。

11.根据权利要求1所述的拼棒方法，其特征在于：所述高温固化是将单晶小硅块之间的拼棒胶膜固化成胶层。

12.根据权利要求11所述的拼棒方法，其特征在于：所述胶层的硬度为70~85邵氏D，拉伸强度为12~18KPa。

13.一种制备硅片的方法，其特征在于：包括如下步骤：

（1）制备单晶小硅块：对单晶硅棒的边皮料或头尾料进行切割，制得单晶小硅块；

（2）拼接方棒：利用权利要求1-12中任一项所述的拼棒方法将至少两个单晶小硅块拼接成方棒；

（3）切片：将方棒粘贴在树脂板上，切割时线网采用不分线网的方式对方棒进行切片，制得硅片。