[发明专利]一种电压可调的钳位保护电路

权利要求书

1.一种电压可调的钳位保护电路，包括电压调节电路和钳位保护电路，其特征在于：所述电压调节电路和钳位保护电路连接：

电压调节电路：用于自行根据所需保护的电压来搭配出合适保护电压；

钳位保护电路：用于产生钳位电压；

所述电压调节电路包括P3和P4，所述P3和P4组成电流镜像支路；P3电流镜像支路包括栅漏短接的PMOS晶体管P3，所述栅漏短接的PMOS晶体管P3连接有二极管D0阳极，所述二极管D0通过阴极连接齐纳管DZ0的阴极，所述齐纳管DZ0阳极再连接有电阻R0，所述电阻R0另一端连接有GND；P4电流镜像支路包括栅漏短接的PMOS晶体管P4，所述栅漏短接的PMOS晶体管P4连接有二极管D1阳极，所述二极管D1通过阴极连接有电阻R1，所述电阻R1另一端与GND连接。

2.根据权利要求1所述的一种电压可调的钳位保护电路，其特征在于：所述钳位保护电路包括开关控制部分和钳位PMOS晶体管P2；

所述开关控制部分由为PMOS 晶体管 P0、P1和N MOS 晶体管 N0、N1组成。

3.根据权利要求2所述的一种电压可调的钳位保护电路，其特征在于：所述 PMOS晶体管P0和P1的栅极分别连接主控制信号CK和CKN端口，所述 PMOS晶体管P0和P1的源体短接，所述P0和P1的源端接VDD电位，所述P0和P1的漏端分别接NMOS晶体管N0和N1的漏端，所述NMOS晶体管N0和N1栅极相连，所述N0栅漏短接，所述N0和N1二者组成电流镜像结构，所述N0和N1二者源体短接到Float_GND电位。

4.根据权利要求2所述的一种电压可调的钳位保护电路，其特征在于：所述钳位PMOS晶体管P2栅极接电流镜像管P4漏端，所述钳位PMOS晶体管P2漏端接GND，所述钳位PMOS晶体管P2源体短接，所述钳位PMOS晶体管P2源端接Float_GND电位。

5.根据权利要求3所述的一种电压可调的钳位保护电路，其特征在于：所述晶体管P1和N1漏端为驱动输出信号VG；

所述驱动输出信号VG直接驱动电荷泵的充电管PMOS。