[发明专利]一种网状射频PECVD电极结构及其应用方法在审

专利信息
申请号: 202110081117.7 申请日: 2021-01-21
公开(公告)号: CN112575319A 公开(公告)日: 2021-03-30
发明(设计)人: 张超雄;王铭;汪涛;凌俊;郭小勇;易治凯 申请(专利权)人: 江苏爱康能源研究院有限公司;浙江爱康光电科技有限公司
主分类号: C23C16/509 分类号: C23C16/509;C23C16/24
代理公司: 江阴市扬子专利代理事务所(普通合伙) 32309 代理人: 张晓斐
地址: 215600 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 网状 射频 pecvd 电极 结构 及其 应用 方法
【权利要求书】:

1.一种网状射频PECVD电极结构,其特征在于:它包括网状电极板(1)本体,所述网状电极板(1)采用9*12的网框结构,在横向每隔四个网格设置一个RF功率馈入点(2),纵向每隔三个网格设置一个RF功率馈入点(2)。

2.根据权利要求1所述的一种网状射频PECVD电极结构,其特征在于:所述网状电极板(1)的长度为1.95m,宽度为1.60m。

3.根据权利要求1所述的一种网状射频PECVD电极结构,其特征在于:所述网状电极板(1)的内网框直径为5cm,外网框直径为7cm。

4.一种权利要求1所述的网状射频PECVD电极结构的应用方法,其特征在于,它包括以下内容:

S1、对尺寸为156.75mm的N型单晶硅片进行制绒、清洗处理;

S2、使用板式射频等离子增强化学气相沉积法进行非晶硅沉积;

S3、使用网状电极板(1),沉积时间3min;所述网状电极板(1)采用9*12的网框结构,在横向每隔四个网格设置一个RF功率馈入点(2),纵向每隔三个网格设置一个RF功率馈入点(2);

S4、使用椭偏仪对沉积的非晶硅膜厚进行测量。

5.根据权利要求4所述的一种网状射频PECVD电极结构的应用方法,其特征在于:所述网状电极板(1)长度为1.95m,宽度为1.60m,内网框直径为5cm,外网框直径为7cm。

6.根据权利要求4所述的一种网状射频PECVD电极结构的应用方法,其特征在于:所述网状电极板(1)设置在工艺腔(3)内,每个RF功率馈入点(2)分别接入RF电源,网状电极板(1)下方设有气体分布系统(5),气体分布系统(5)下方设有下极板(8),下极板(8)上设有石墨载板(7),气体分布系统(5)连接气体进入口(6),所述工艺腔(3)底部设有气体排出口(9)。

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