[发明专利]过压保护电路及设备

权利要求书

1.一种过压保护电路(10)，用于适于至少传送电能的设备接口(102)，所述过压保护电路(10)包括：

第一端子(12)和第二端子(14)；

常通晶体管(20)，其中所述常通晶体管(20)的漏极触点(D)被电耦合到所述第一端子(12)，并且所述常通晶体管(20)的源极触点(S)被电耦合到所述第二端子(14)；以及

控制电路(30)，被配置为根据所述第一端子(12)处的电压和所述第二端子(14)处的电压中的至少一个，来关断所述常通晶体管(20)。

2.根据权利要求1所述的过压保护电路(10)，

其中所述常通晶体管(20)是氮化镓晶体管。

3.根据权利要求1所述的过压保护电路(10)，

其中所述常通晶体管(20)是耗尽型硅场效应晶体管。

4.根据前述权利要求中任一项所述的过压保护电路(10)，

其中所述控制电路(30)被配置为：如果所述第一端子(12)处的电压和所述第二端子(14)处的电压中的至少一个达到电压阈值或上升到所述电压阈值以上，则关断所述常通晶体管(20)。

5.根据前述权利要求中任一项所述的过压保护电路(10)，

其中所述控制电路(30)包括电压检测电路(40)，所述电压检测电路(40)被配置为：取决于所述第一端子(12)处的电压或所述第二端子(14)处的电压是高于还是低于所述电压阈值而提供具有电压电平的检测信号。

6.根据权利要求5所述的过压保护电路(10)，

其中所述电压检测电路(40)包括串联连接的二极管(42)和分压器(R1，R2)，其中所述检测信号由所述分压器(R1，R2)提供。

7.根据权利要求6所述的过压保护电路(10)，

其中所述二极管(42)是齐纳二极管。

8.根据前述权利要求中任一项所述的过压保护电路(10)，

其中所述控制电路(30)包括用于控制所述常通晶体管(20)的栅极(G)的晶体管，其中所述晶体管的集电极或漏极被电耦合到所述常通晶体管(20)的所述栅极(G)。

9.根据与权利要求4至7中的任一项结合的权利要求8所述的过压保护电路(10)，

其中所述电压检测电路(40)被配置为：将所述检测信号(44)提供给所述控制电路(30)的所述晶体管的基极或栅极。

10.根据前述权利要求中任一项所述的过压保护电路(10)，

其中所述常通晶体管(20)的所述第二端子(14)和所述栅极(G)经由电阻器(R3)被电耦合。

11.根据前述权利要求中任一项所述的过压保护电路(10)，

其中所述常通晶体管(20)和所述控制电路(30)是在公共半导体管芯上实现的。

12.一种设备(100)，包括：

接口(102)，用于至少传送电能；以及

根据前述权利要求中任一项所述的过压保护电路(10)，其中所述过压保护电路(10)的所述第一端子(12)被电耦合到所述接口(102)。

13.根据权利要求12所述的设备(100)，

其中所述接口(102)被配置为传送电能和数据这两者。

14.根据权利要求12或13所述的设备(100)，

其中所述接口(102)是通用串行总线接口，

所述设备(100)还包括通用串行总线控制器(104)，其中所述过压保护电路(10)的所述第二端子(14)被电耦合到所述通用串行总线控制器(104)。

15.根据权利要求14所述的设备，

其中所述通用串行总线控制器(104)是通用串行总线type-C控制器，并且所述接口(102)是适于传送电能和数据这两者的通用串行总线type-C接口。