[发明专利]IC封装基板及IC封装基板的制作方法

权利要求书

1.一种IC封装基板的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括如下步骤：

提供芯板，所述芯板具有相对的第一面和第二面；

自所述第一面对所述芯板进行第一次开孔，以在所述芯板中形成若干个第一孔；

在所述第一孔内填充第一导电材料，所述第一导电材料至少延伸至所述第一面；

在所述第一孔内填充所述第一导电材料后，自所述第二面对所述芯板进行第二次开孔，以在所述芯板中形成若干个第二孔，所述第一孔与所述第二孔之间具有间距，所述第一孔及所述第二孔均贯穿所述芯板；

在所述第二孔内填充第二导电材料，所述第二导电材料至少延伸至所述第二面；

其中，所述第一孔内的第一导电材料构成第一导电柱，位于所述第一孔内壁及第一孔周围的所述第一面表面上的第一导电材料作为第一导电层；所述第二孔内的第二导电材料构成第二导电柱，位于所述第二孔内壁及第二孔周围的所述第二面表面上的第二导电材料作为第二导电层，所述第一导电柱及所述第二导电柱形成在所述芯板中以进行散热。

2.根据权利要求1所述的IC封装基板的制作方法，其特征在于，在所述第一孔内填充所述第一导电材料的步骤包括：

至少在所述第一孔内壁及第一孔周围的所述第一面表面形成第一厚度的第一导电层；

至少在所述第一面上形成显露所述第一孔的第一干膜；

在所述第一孔中形成第二导电层，以形成所述第一导电柱；

和/或，在所述第二孔内填充所述第二导电材料的步骤包括：

至少在所述第二孔内壁及第二孔周围的所述第二面上形成第二厚度的第三导电层；

至少在所述第二面上形成显露所述第二孔的第二干膜；

在所述第二孔中形成第四导电层，以形成所述第二导电柱。

3.根据权利要求2所述的IC封装基板的制作方法，其特征在于，所述第一导电层同时形成在所述第一面和所述第二面的表面，所述第三导电层形成在所述第一面及所述第二面表面的所述第一导电层上，所述第一导电层及所述第二导电层构成位于所述芯板双面的线路制备层。

4.根据权利要求3所述的IC封装基板的制作方法，其特征在于，所述第一导电层及所述第三导电层均采用闪镀的工艺；所述第一厚度与所述第二厚度概呈相同。

5.根据权利要求2所述的IC封装基板的制作方法，其特征在于，所述第一干膜中形成有若干个第一窗口，所述第一窗口对应显露所述第一孔，且与所述第一孔的边缘之间的距离介于20-200μm之间；和/或，所述第二干膜中形成有若干个第二窗口，所述第二窗口对应显露所述第二孔，且与所述第二孔的边缘之间的距离介于20-200μm之间。

6.根据权利要求2所述的IC封装基板的制作方法，其特征在于，所述第二导电层采用脉冲电镀工艺，以使所述第二导电层的表面不高于所述第一干膜的表面；和/或，所述第二导电层采用脉冲电镀工艺，以使所述第四导电层的表面不高于所述第二干膜的表面。

7.根据权利要求2所述的IC封装基板的制作方法，其特征在于，在所述第一孔中形成所述第二导电层后还包括去除所述干膜的步骤，以得到与所述第一导电层表面平齐的所述第一导电柱；和/或，在所述第二孔中形成所述第四导电层后还包括去除所述第二干膜的步骤，以得到与所述第三导电层表面平齐的所述第二导电柱。

8.根据权利要求1所述的IC封装基板的制作方法，其特征在于，所述制作方法还包括步骤：对所述芯板进行第N次开孔，以在所述芯板中形成若干个第N孔，N大于等于3，其中，所述第一次开孔至所述第N次开孔交替在所述芯板的第一面和第二面进行。

9.根据权利要求1-8中任意一项所述的IC封装基板的制作方法，其特征在于，所述第一孔包括若干列第一孔单元列，所述第二孔包括若干列第二孔单元列，其中，所述第一孔单元列及所述第二孔单元列交替间隔排布，且所述第二孔单元列中的所述第二孔对应位于相邻所述第一孔单元列中相邻的所述第一孔之间。