[发明专利]STI的形成方法

权利要求书

1.一种STI的形成方法的形成方法，其特征在于，所述方法包括：

在衬底表面依次形成衬垫氧化层和衬垫氮化硅层；

通过光刻和刻蚀工艺，在衬底中形成浅沟槽；

依次形成浅沟槽的内衬氧化层和内衬氮化硅层；

沉积氧化硅，令所述浅沟槽被氧化硅完全填充，且所述氧化硅覆盖所述衬底；

对衬底进行CMP处理，磨平氧化硅层；

通过刻蚀工艺调整氧化硅层，令所述氧化硅层的顶部不高于所述浅沟槽的顶部；

去除未被所述氧化硅层覆盖的内衬氮化硅层；

再次沉积氧化硅，令所述浅沟槽被氧化硅完全填充，且所述氧化硅覆盖所述衬底；

去除衬底表面的氧化硅和衬垫氮化硅层，形成浅沟槽隔离。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述通过刻蚀工艺调整所述氧化硅层，令所述氧化硅层的顶部不高于所述浅沟槽的顶部，包括：

通过干法刻蚀工艺去除衬底表面的氧化硅，令所述衬垫氮化硅层上方的氧化硅层的厚度为预定厚度；

通过湿法腐蚀工艺去除氧化硅，令所述氧化硅层的顶部不高于所述浅沟槽的顶部。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述通过刻蚀工艺调整所述氧化硅层，令所述氧化硅层的顶部不高于所述浅沟槽的顶部，包括：

通过湿法腐蚀工艺去除氧化硅，令所述氧化硅层的顶部不高于所述浅沟槽的顶部。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述依次形成浅沟槽的内衬氧化层和内衬氮化硅层之前，所述方法还包括：

通过湿法腐蚀工艺去除所述浅沟槽外侧的部分衬垫氮化硅层和衬垫氧化层，令所述衬底露出。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述去除衬底表面的氧化硅和衬垫氮化硅层，形成浅沟槽隔离，包括：

通过CMP工艺去除衬底表面多余的氧化硅；

通过湿法腐蚀工艺去除所述衬垫氮化硅层，形成浅沟槽隔离。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述去除未被所述氧化硅层覆盖的内衬氮化硅层，包括：

通过湿法腐蚀工艺去除未被所述氧化硅层覆盖的内衬氮化硅层。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述形成浅沟槽的内衬氧化层，包括：

通过ISSG工艺形成浅沟槽的内衬氧化层。

8.根据权利1所述的方法，其特征在于，所述沉积氧化硅，包括：

通过HDP工艺或HARP工艺沉积氧化硅。