[发明专利]一种低压高精度带隙基准电路

权利要求书

1.一种低压高精度带隙基准电路，其特征在于，包括：正温度电流产生电路，用于产生与绝对温度正相关的电流；负温度电流产生电路，用于产生与绝对温度负相关的电流；高温补偿电路，用于在温度升高时产生高温补偿电流；低温补偿电路，用于在温度降低时产生低温补偿电流；电流电压转换电路，用于采用所述高温补偿电流和低温补偿电流对产生的绝对温度正相关的电流和绝对温度负相关的电流进行补偿，并将补偿后的电流转换为电压；

所述低温补偿电路包括第七P型晶体管、第八P型晶体管、第三N型晶体管、第四N型晶体管、第五N型晶体管和第六N型晶体管；所述第七P型晶体管的栅极与所述正温度电流产生电路的输出端相连，源极与电源端相连，漏极与第三N型晶体管的漏极相连；所述第八P型晶体管的栅极与所述负温度电流产生电路的输出端相连，源极与电源端相连，漏极与第四N型晶体管的漏极相连；所述第三N型晶体管的栅极与所述第四N型晶体管的栅极相连，所述第三N型晶体管的源极和所述第四N型晶体管的源极均接地，所述第三N型晶体管的漏极还与所述第三N型晶体管的栅极相连；所述第五N型晶体管的漏极和栅极均与所述第八P型晶体管的漏极相连，所述第五N型晶体管的源极接地，所述第五N型晶体管的栅极还与所述第六N型晶体管的栅极相连；所述第六N型晶体管的源极接地，漏极与所述电流电压转换电路相连。

2.根据权利要求1所述的低压高精度带隙基准电路，其特征在于，所述正温度电流产生电路包括第一运算放大器、第一BJT管、第二BJT管、第一电阻和第一电流镜；所述第一BJT管的并联个数是所述第二BJT管的N倍；所述第一电流镜通过所述第一电阻与所述第一BJT管相连，所述第一电流镜直接与所述第二BJT管相连；所述第一运算放大器的正相输入端与所述第一电阻与第一电流镜的连接端相连，反相输入端与所述第二BJT管与第一电流镜的连接端相连，输出端与电流电压转换电路相连，用于使所述第二BJT管发射结上的电压等于所述第一电阻上的电压加上所述第一BJT管发射结上的电压。

3.根据权利要求2所述的低压高精度带隙基准电路，其特征在于，所述负温度电流产生电路包括第二运算放大器、第二电阻和第二电流镜，所述第二电流镜分别与所述第二BJT管和第二电阻相连；所述第二运算放大器的正相输入端与所述第二电阻与第二电流镜的连接端相连，反相输入端与所述第二BJT管与第二电流镜的连接端相连，输出端与电流电压转换电路相连，用于使所述第二BJT管发射结上的电压等于所述第二电阻上的电压。

4.根据权利要求1所述的低压高精度带隙基准电路，其特征在于，还包括启动电路，所述启动电路用于防止所述正温度电流产生电路和负温度电流产生电路进入简并状态。

5.根据权利要求4所述的低压高精度带隙基准电路，其特征在于，所述启动电路包括第一N型晶体管、第二N型晶体管和第一电容，所述第一电容的一端与电源端相连，另一端分别与所述第一N型晶体管的漏极和所述第二N型晶体管的栅极相连；所述第一N型晶体管的栅极与电源端相连，源极接地；所述第二N型晶体管的漏极与正温度电流产生电路的输出端相连，源极接地。

6.根据权利要求1所述的低压高精度带隙基准电路，其特征在于，所述高温补偿电路包括第三电阻、第九P型晶体管和第三BJT管；所述第九P型晶体管与所述第八P型晶体管构成第三电流镜；所述第三电阻的一端与所述第九P型晶体管的漏极相连，另一端接地；所述第九P型晶体管的漏极还与所述第三BJT管的控制端相连，所述第三BJT管的输出端与所述电流电压转换电路相连。

7.根据权利要求1所述的低压高精度带隙基准电路，其特征在于，所述电流电压转换电路包括第三P型晶体管、第六P型晶体管和第四电阻；所述第三P型晶体管的栅极与所述正温度电流产生电路的输出端相连，源极与电源端相连，漏极与所述第四电阻的一端相连；所述第六P型晶体管的栅极与所述负温度电流产生电路的输出端相连，源极与电源端相连，漏极与所述第四电阻的一端相连；所述第四电阻的一端还与所述高温补偿电路和低温补偿电路的输出端相连，所述第四电阻的另一端接地。