[发明专利]一种用于粒子治疗装置的超薄束流剖面探测系统在审
| 申请号： | 202110086406.6 | 申请日： | 2021-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN112904401A | 公开（公告）日： | 2021-06-04 |
| 发明（设计）人： | 徐治国 | 申请（专利权）人： | 中国科学院近代物理研究所;惠州离子科学研究中心 |
| 主分类号： | G01T1/29 | 分类号： | G01T1/29;A61N5/10 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 孙楠 |
| 地址： | 730000 甘*** | 国省代码： | 甘肃;62 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 用于 粒子 治疗 装置 超薄 剖面 探测 系统 | ||
1.一种用于粒子治疗装置的超薄束流剖面探测系统，其特征在于，包括薄膜、加速丝网、微通道板、信号读出阳极板和支架；
所述薄膜，用于产生二次电子，放置在束流方向；
所述加速丝网，用于对二次电子进行加速，位于所述薄膜的下部，与所述薄膜一起固定在所述支架的顶部；
所述微通道板，固定在所述支架的底部，与所述薄膜之间形成漂移电场，加速后的二次电子经所述漂移电场到达所述微通道板进行放大；
所述信号读出阳极板，设置在所述微通道板的下方，与所述微通道板一起固定在所述支架的底部；用于收集放大后的二次电子产生电流信号，将该电流信号传输至位于所述探测系统外部的多通道电流数字转换电路后记录，实现对束流的位置及包络信息测量。
2.如权利要求1所述探测系统，其特征在于，所述在薄膜上施加负高压，所述加速丝网和微通道板上施加负电压，所述微通道板的上表面与下表面之间具有电压差。
3.如权利要求2所述探测系统，其特征在于，所述微通道板的上表面负电压低于所述加速丝网上的负电压。
4.如权利要求2所述探测系统，其特征在于，所述微通道板的下表面为接近0V的负电压或为0V。
5.如权利要求1所述探测系统，其特征在于，所述薄膜采用碳膜、铝膜或塑料膜制作而成，厚度在0.2～20微米量级。
6.如权利要求1所述探测系统，其特征在于，所述薄膜的上表面镀有一层易于提升二次电子产额的材料。
7.如权利要求1所述探测系统，其特征在于，所述加速丝网采用垂直交叉丝网，其由固定框架和设置在所述固定框架内的额垂直交叉的丝网电极构成。
8.如权利要求1所述探测系统，其特征在于，所述信号读出阳极板的上表面有效面积范围内设置有阳极读出电极，该阳极读出电极采用条状或矩形。
9.如权利要求1所述探测系统，其特征在于，所述薄膜与束流之间具有预先设定的角度。
10.如权利要求1所述探测系统，其特征在于，所述信号读出阳极板与所述微通道板之间具有距离。
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