[发明专利]氧化铝的去除方法及三维存储器的制备方法有效
| 申请号： | 202110087262.6 | 申请日： | 2021-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN112786447B | 公开（公告）日： | 2022-08-30 |
| 发明（设计）人： | 杜明利;李君;李华东;徐融 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L27/11551;H01L27/11578 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 邵磊;张颖玲 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氧化铝 去除 方法 三维 存储器 制备 | ||
1.一种氧化铝的去除方法，其特征在于，所述方法包括：
提供半导体结构，所述半导体结构包括暴露的氧化铝；
所述氧化铝用于作为刻蚀阻挡掩膜，
所述氧化铝采用原子层沉积法形成，所述氧化铝的厚度大于100nm；采用原子层沉积法形成所述氧化铝之后，对所述氧化铝在大于900℃且小于等于1100℃的温度下进行快速热退火处理6-15s；采用湿法腐蚀方法去除所述氧化铝；所述湿法腐蚀方法采用的腐蚀液包括H3PO4溶液。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述原子层沉积法的沉积条件包括：
在500℃以上的温度条件下生长25-35h。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在采用湿法腐蚀方法去除所述氧化铝前，所述方法还包括：
在所述半导体结构的除所述氧化铝以外的其他暴露部分上形成保护层。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，
所述保护层通过沉积工艺形成。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述湿法腐蚀方法的腐蚀温度为120-170℃。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述H3PO4溶液为H3PO4与水的混合溶液，其中所述H3PO4的体积浓度为80％-95％。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述采用湿法腐蚀方法去除所述氧化铝，具体包括：通过控制湿法腐蚀方法的执行时间，将氧化铝完全去除。
8.一种三维存储器的制备方法，其特征在于，所述方法包括权利要求1-7中任一项所述的氧化铝的去除方法。
9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述提供半导体结构，包括：提供衬底；在所述衬底上形成存储堆叠结构；
在所述存储堆叠结构上形成氧化铝；
图案化所述氧化铝，以图案化后的所述氧化铝作为掩膜刻蚀所述存储堆叠结构。
10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述以图案化后的所述氧化铝作为掩膜刻蚀所述存储堆叠结构，包括：以图案化后的所述氧化铝作为掩膜刻蚀所述存储堆叠结构，形成台阶结构。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
