[发明专利]一种电光晶体薄膜、制备方法及电子元器件

权利要求书

1.一种电光晶体薄膜，其特征在于，包括依次层叠的第一功能薄膜层、第一隔离层、第二隔离层、第二功能薄膜层和衬底层；

所述第二功能薄膜层中与所述第二隔离层接触的表面的粗糙度大于所述第二隔离层中与所述第一隔离层接触的表面的粗糙度，所述第二隔离层中与所述第一隔离层接触的表面的粗糙度大于所述第一隔离层中与所述第一功能薄膜层接触的表面的粗糙度；

其中，所述第一功能薄膜层采用电光晶体材料，所述第二功能薄膜层采用金刚石材料。

2.根据权利要求1所述的电光晶体薄膜，其特征在于，所述第二隔离层由具有第一颗粒粒度的材料制备而成，所述第一隔离层由具有第二颗粒粒度的材料制备而成，所述第一颗粒粒度大于所述第二颗粒粒度。

3.根据权利要求1所述的电光晶体薄膜，其特征在于，所述第二隔离层为二氧化硅、氮化硅或氧化铝，所述第一隔离层为二氧化硅、氮化硅或氧化铝。

4.根据权利要求1所述的电光晶体薄膜，其特征在于，所述第二功能薄膜层中与所述第二隔离层接触的表面的粗糙度小于5nm，所述第二隔离层中与所述第一隔离层接触的表面的粗糙度小于2nm，所述第一隔离层中与所述第一功能薄膜层接触的表面的粗糙度小于0.5nm。

5.根据权利要求1所述的电光晶体薄膜，其特征在于，还包括补偿功能层，所述补偿功能层层叠于所述衬底层远离第二功能薄膜层的表面。

6.一种电光晶体薄膜的制备方法，其特征在于，包括：

在衬底层顶表面制备第二功能薄膜层，所述第二功能薄膜层采用金刚石材料；

在所述第二功能薄膜层上制备第二隔离层，使所述第二隔离层中远离所述第二功能薄膜层的表面的粗糙度小于所述第二功能薄膜层中与所述第二隔离层接触的表面的粗糙度；

在所述第二隔离层上制备第一隔离层，使所述第一隔离层中远离所述第二隔离层的表面的粗糙度小于所述第二隔离层中与所述第一隔离层接触的表面的粗糙度；

利用离子注入法和键合法，或者，利用键合法和研磨抛光法，在所述第一隔离层上制备第一功能薄膜层，所述第一功能薄膜层采用电光晶体材料。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，在衬底层顶表面制备第二功能薄膜层包括：

向反应室中输入用于沉积金刚石的反应气源，所述反应气源为甲烷和氢气；

将衬底层置于衬底座上，采用沉积法在衬底层顶表面沉积金刚石，其中，在所述反应室的中部有预设频率的微波波导馈入，形成辉光放电区，在衬底层顶表面上沉积金刚石薄膜；

抛光所述金刚石薄膜，使所述金刚石薄膜的表面的粗糙度＜5nm。

8.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，在所述第二功能薄膜层上制备第二隔离层，以及，所述在所述第二隔离层上制备第一隔离层，包括：

在所述第二功能薄膜层上沉积具有第一颗粒粒度的材料，形成第二隔离层；

在所述第二隔离层上沉积具有第二颗粒粒度的材料，形成第一隔离层，其中，所述第一颗粒粒度大于所述第二颗粒粒度。

9.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述在衬底层顶表面制备第二功能薄膜层之前还包括：

在所述衬底层底表面制备补偿功能层，所述底表面是指所述衬底层远离第二功能薄膜层的表面。

10.一种电子元器件，其特征在于，包括如权利要求1-5任一所述的电光晶体薄膜。