[发明专利]一种高介电常数聚酰亚胺三相复合材料及其制备方法在审
申请号: | 202110088631.3 | 申请日: | 2021-01-22 |
公开(公告)号: | CN112898614A | 公开(公告)日: | 2021-06-04 |
发明(设计)人: | 李科;彭明云;黄丙亮;王龙 | 申请(专利权)人: | 四川轻化工大学 |
主分类号: | C08J5/18 | 分类号: | C08J5/18;C08L79/08;C08L27/16;C08K3/22;C08K5/18 |
代理公司: | 北京百年育人知识产权代理有限公司 11968 | 代理人: | 叶霖 |
地址: | 643000 四川*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 介电常数 聚酰亚胺 三相 复合材料 及其 制备 方法 | ||
1.一种高介电常数聚酰亚胺三相复合薄膜材料,其特征在于:
(1)将二氧化钛和聚偏氟乙烯分散在有机溶剂中,室温下超声20-40分钟,均匀分散至成为悬浮液,得到二氧化钛@聚偏氟乙烯混合溶液;
(2)在氮气和冰水浴的环境下,首先将二胺单体溶解在二氧化钛和聚偏氟乙烯分散的悬浮液中,搅拌至完全溶解,之后,加入二酐单体,温度维持在10-15℃,反应持续4-6小时,直至反应体系中粘度不再变化为止,得到聚酰亚胺酸/二氧化钛@聚偏氟乙烯混合溶液;
(3)将聚酰亚胺酸/二氧化钛@聚偏氟乙烯混合溶液置于干净的玻璃板上,并在100-150℃完成溶液脱除,在150-330℃完成亚胺化,得到高介电常数聚酰亚胺三相复合薄膜;
其中,聚酰亚胺基体由二胺与二酐单体合成,且两者摩尔比例保持1:1。
2.根据权利要求1所述的高介电常数聚酰亚胺三相复合薄膜材料,其特征在于:所述的纳米级二氧化钛的粒径为100-500nm。
3.根据权利要求1所述的高介电常数聚酰亚胺三相复合薄膜材料,其特征在于:所述的微米级聚偏氟乙烯的粒径为5-15μm。
4.根据权利要求1所述的高介电常数聚酰亚胺三相复合薄膜材料,其特征在于:所述的二酐单体为3,3',4,4'-二苯酮四酸二酐。
5.根据权利要求1所述的高介电常数聚酰亚胺三相复合薄膜材料,其特征在于:所述的二胺单体为4,4'-二氨基二苯醚。
6.一种制备权利要求1所述的高介电常数聚酰亚胺三相复合薄膜材料的方法,其特征在于:微米级聚偏氟乙烯促进了纳米级二氧化钛在聚酰亚胺中的分散,得到介电性能与力学性能较好的三相复合薄膜。
7.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:所述有机溶剂N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二甲基乙酰胺、N-甲基吡咯烷酮或者四氢呋喃。
8.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:所述的二酸酐单体为3,3',4,4'-二苯酮四酸二酐、均苯四甲酸二酐、3,3’,4,4’-二苯醚四甲酸二酐、2,2',3,3'-联苯四酸二酐;所述的二胺单体为4,4’-二氨基二苯醚、对-苯二胺、间-苯二胺。
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