[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

氧化物层；

位于所述氧化物层上的第一导电层和第二导电层；

与所述第一导电层的顶面、所述第二导电层的顶面和所述氧化物层的侧面接触的绝缘层；

位于所述绝缘层上并与所述第一导电层的侧面和所述第二导电层的侧面接触的氧化物半导体层；

隔着所述氧化物半导体层位于所述氧化物层上的栅电极层；以及

位于所述氧化物半导体层和所述栅电极层之间的栅绝缘层，

其中，所述氧化物层具有与所述第一导电层接触的第一区域、与所述第二导电层接触的第二区域、以及位于所述第一区域和所述第二区域之间并与所述氧化物半导体层接触的第三区域，并且

其中，所述第三区域的厚度小于所述第一区域的厚度和所述第二区域的厚度。

2.一种半导体装置，包括：

氧化物层；

位于所述氧化物层上的第一导电层和第二导电层；

与所述第一导电层的顶面、所述第二导电层的顶面和所述氧化物层的侧面接触的绝缘层；

位于所述绝缘层上并与所述第一导电层的侧面和所述第二导电层的侧面接触的氧化物半导体层；

隔着所述氧化物半导体层位于所述氧化物层上的第三导电层；以及

位于所述氧化物半导体层和所述第三导电层之间的第二绝缘层，

其中，所述氧化物层具有与所述第一导电层接触的第一区域、与所述第二导电层接触的第二区域、以及位于所述第一区域和所述第二区域之间并与所述氧化物半导体层接触的第三区域，并且

其中，所述第三区域的厚度小于所述第一区域的厚度和所述第二区域的厚度。

3.一种半导体装置，包括：

氧化物层；

电连接到所述氧化物层的第一导电层和第二导电层；

与所述第一导电层的第一表面、所述第二导电层的第一表面以及所述氧化物层的第一表面接触的绝缘层；以及

与所述绝缘层重叠并与所述第一导电层的第二表面和所述第二导电层的第二表面接触的氧化物半导体层，

其中，所述氧化物层具有与所述第一导电层接触的第一区域、与所述第二导电层接触的第二区域、以及位于所述第一区域和所述第二区域之间并与所述氧化物半导体层接触的第三区域。

4.一种半导体装置，包括：

氧化物层；

位于所述氧化物层上的第一导电层和第二导电层；

与所述第一导电层的顶面、所述第二导电层的顶面和所述氧化物层的侧面接触的第一绝缘层；

具有槽部且位于所述第一绝缘层上的第二绝缘层；

与所述槽部的内表面接触并与所述第一导电层的侧面和所述第二导电层的侧面接触的氧化物半导体层；

栅电极层，该栅电极层位于所述槽部中且隔着所述氧化物半导体层位于所述氧化物层上；以及

位于所述氧化物半导体层和所述栅电极层之间的栅绝缘层，

其中，所述氧化物层具有与所述第一导电层接触的第一区域、与所述第二导电层接触的第二区域、以及位于所述第一区域和所述第二区域之间并与所述氧化物半导体层接触的第三区域，并且

其中，所述第三区域的厚度小于所述第一区域的厚度和所述第二区域的厚度。

5.一种半导体装置，包括：

氧化物层；

位于所述氧化物层上的第一导电层和第二导电层；

与所述第一导电层的顶面、所述第二导电层的顶面和所述氧化物层的侧面接触的第一绝缘层；

具有槽部且位于所述第一绝缘层上的第二绝缘层；

位于所述槽部中并与所述第一导电层的侧面和所述第二导电层的侧面接触的氧化物半导体层；

栅电极层，该栅电极层位于所述槽部中且隔着所述氧化物半导体层位于所述氧化物层上；以及

位于所述槽部中的栅绝缘层，

其中，所述氧化物层具有与所述第一导电层接触的第一区域、与所述第二导电层接触的第二区域、以及位于所述第一区域和所述第二区域之间并与所述氧化物半导体层接触的第三区域，并且

其中，所述第三区域的厚度小于所述第一区域的厚度和所述第二区域的厚度。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体装置，其中还包括位于所述氧化物层之下的绝缘体。