[发明专利]TiN(B)@TiO2 有效
申请号: | 202110088895.9 | 申请日: | 2021-01-22 |
公开(公告)号: | CN112897483B | 公开(公告)日: | 2022-07-05 |
发明(设计)人: | 刘双宇;陆萍;周临震 | 申请(专利权)人: | 盐城工学院 |
主分类号: | C01B21/076 | 分类号: | C01B21/076;C01B35/04;C01G23/047 |
代理公司: | 北京卓岚智财知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11624 | 代理人: | 郭智 |
地址: | 224000 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | tin tio base sub | ||
本发明属于新型复合陶瓷颗粒材料合成技术领域,公开了一种TiN(B)@TiO2核‑壳颗粒粉末材料及其制备方法,TiN(B)@TiO2核‑壳颗粒粉末材料由TiN(B)核心和包覆在TiN(B)外部的TiO2壳层组成;所述TiN(B)@TiO2核‑壳颗粒粉末材料的核心是固溶有B元素的TiN,其中B的成分为0.5‑8at%,表示为TiN(B),具有TiN型晶体结构,导电性优于TiN;TiO2在TiN(B)核心上原位生长,与TiN(B)结合紧密,外部有微孔,表面积大,包含B元素,B的含量为0.2‑1at%。本发明作为电极能提高Li‑S电池和超级电容器的输出功率和稳定性,作为吸波材料可增强吸波效果。
技术领域
本发明属于新型复合陶瓷颗粒材料合成技术领域,尤其涉及一种TiN(B)@TiO2核-壳颗粒粉末材料及制备方法。
背景技术
目前,TiN是众所周知的陶瓷材料,有熔点高,耐腐蚀和导电性好优点,其电导率在4000至55500S/cm之间。通常将其作为集电体用在Li-S电池,超级电容器和锂电池等化学电源中,以期减少内阻,提高效率。最近发现的类似金、银所特有的区域等离子化功能使TiN在光催化领域倍受青睐,人们试图用它替代金、银贵金属。而其壳层TiO2则是半导体材料,表面具有亲水的Ti-O官能团和羟基,因而,具有良好的吸附性。在作为正极材料时,很容易与Li-S电池中的硫化物进行化学键合,增加输出功率,提高循环寿命。TiO2的良好吸附性常被应用于Li-S电池,超级电容器和锂电池等化学电源。
在紫外光照射下TiO2的电子-空穴对产生热电子运动,因而可对废水和有毒垃圾进行消毒和降解处理。
TiN和TiO2都是化学储能器和光催化领域中的一种重要材料,因此,由它们复合成的TiN/TiO2复合材料也是化学储能器和光催化领域中的一种重要材料。TiN导电性好,TiO2导电性差,但吸附性好,它们的组合可扬长避短,获得更多的优点。
TiN距离金、银的导电性还有一段差距,需要进一步提高才能实现对金、银的替代。TiO2仍然有二个不能令人满意缺点,一是导带宽度大,为3.2eV;二是效率低,不能利用可见光能量。而它们的复合材料的主要缺点是TiN/TiO2界面的结合性差,接触电阻大,不利于电子传输。现有TiN/TiO2复合材料的制备方法包括水热合成,强酸氧化,CVD和激光气相沉积等,这些制备方步骤多,工艺复杂,成本高,产量低,容易造成环境污染,不适合批量生产,并且TiN与TiO2的结合属于物理结合,结合性能差。因此,亟需一种新的TiN与TiO2相结合的复合材料及其制备方法。
通过上述分析,现有技术存在的问题及缺陷为:
(1)TiN距离金、银的导电性还有一段差距,需要进一步提高才能实现对金、银的替代;TiO2仍然有二个不能令人满意缺点,一是导带宽度大,为3.2eV,通过掺杂金属、非金属元素能够减小禁带宽度,但是减小范围有限;二是效率低,不能利用可见光能量。
(2)现有TiN和TiO2的复合材料的主要缺点是TiN/TiO2界面的结合性差,接触电阻大,不利于电子传输。
(3)现有TiN合成方法属于化学反应合成,合成温度高于1000℃;TiN/TiO2复合材料的制备方法包括水热合成,强酸氧化,CVD和激光气相沉积等,这些制备方步骤多,工艺复杂,成本高,产量低,不适合批量生产,并且TiN与TiO2的结合属于物理结合,结合性能差。
解决以上问题及缺陷的意义为:
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