[发明专利]用于极紫外线微影装置的腔室中处理晶圆的方法

说明书

一种用于极紫外线微影装置的腔室中处理晶圆的方法。极紫外线(EUV)微影装置包括晶圆台，及用于清洁用于极紫外线微影装置的晶圆的颗粒移除组件。晶圆台包括量测侧及曝光侧。颗粒移除组件包括颗粒移除电极、排气元件及涡轮分子泵。颗粒移除电极用以通过抑制湍流而导向来自腔室的碎片，使得碎片可自晶圆台被排出至处理装置之外。在一些实施例中，关断在晶圆台的量测侧中的涡轮分子泵，以使得排气流可被导引至晶圆台的曝光侧。在一些实施例中，调整针对晶圆卡盘的电极的电压升高的速度。

技术领域

本揭露是关于一种极紫外线微影装置以及用于其腔室中处理晶圆的方法。

背景技术

在极紫外线(extreme ultraviolet,EUV)微影中，碎片颗粒可能通过不当地遮蔽晶圆的多个部分而降低微影的良率。因此，需要维持晶圆在微影制程期间经过的位置(诸如，工具夹具、腔室、遮罩固持器，等)处的清洁环境。特定而言，生产高品质微电子元件并降低良率损失的能力取决于维持关键部件的表面大体上无颗粒或污染物。此将包括维持表面无污染物，例如，维持超清洁表面以确保污染物不会沉积在晶圆、主光罩或遮罩或其他关键部件的表面上。此尤其值得关注，因为微电子元件上需要更精细的特征。取决于环境及真空条件，污染物的类型可为任一组合。污染物可能由(诸如)遮罩制作制程中的蚀刻副产物、有机烃污染物、任何种类的掉落粉尘、钢铁的排放气体，等。

本揭示案是关于一种污染物及/或碎片颗粒移除组件，其被设计成移除这些污染物及/或碎片颗粒以改进半导体晶圆制程的清洁度。

发明内容

根据本揭露的的一些实施例，提供一种用于极紫外线微影装置的腔室中处理晶圆的方法。此极紫外线微影装置包括一晶圆台以及一颗粒移除组件。晶圆台包括一量测侧及一曝光侧。颗粒移除组件具有安置在极紫外线微影装置中的颗粒移除电极、一排气元件及多个涡轮分子泵。此处理晶圆的方法包含以下步骤：将一晶圆放置在该腔室中的一晶圆卡盘上；在该腔室中产生一排气流；对该晶圆台的与所述多个涡轮分子泵相邻的该量测侧执行一调平制程；将一电压提供至定位成与该晶圆卡盘相邻的所述颗粒移除电极；将固持该晶圆的该晶圆卡盘移动至该晶圆台的该曝光侧；以及通过极紫外线执行一微影制程。

附图说明

当结合随附诸图阅读时，得以自以下详细描述最佳地理解本揭示案。应强调，根据行业上的标准实务，各种特征并未按比例绘制且仅用于说明目的。事实上，为了论述清楚，可任意地增大或减小各种特征的尺寸。

图1示出根据一些实施例的EUV微影系统的示意图；

图2A及图2B示出根据本揭示案的实施例的用于半导体晶圆制程的晶圆台的影像；

图2C示意性地示出根据本揭示案的实施例的包括两个晶圆卡盘以同时执行曝光及量测操作的晶圆台；

图2D示意性地绘示在处理装置中在晶圆台周围的排气流；

图3A示出根据本揭示案的实施例的包括颗粒移除电极的颗粒移除组件；

图3B示出各种类型的颗粒移除电极的示意图；

图3C示出颗粒移除电极的时变电压源中的各种电压波形的示意图；

图3D示出颗粒移除电极的各种连接方案的示意图；

图3E、图3F及图3G示出根据本揭示案的实施例的产生电场及磁场的多个电极对的示意图；

图4A及图4B示出根据本揭示案的实施例的处理装置中的颗粒移除组件的详细视图；

图4C示出根据本揭示案的实施例的各种类型的颗粒移除电极的示意图；

图5示出根据本揭示案的实施例的用于移除碎片颗粒的各种子控制器；

图6示出根据本揭示案的包括规则地及/或不规则地形成的纳米结构的颗粒移除电极的详细视图；