[发明专利]分栅快闪存储器及其制备方法

说明书

本发明提供一种分栅快闪存储器及其制备方法，所述方法包括：提供一衬底，衬底上依次形成有浮栅层和掩模层。在掩模层上形成一沟槽，沟槽贯穿掩模层和浮栅层。形成字线，字线填充所述沟槽。去除掩模层。在浮栅层上形成控制栅侧墙，控制栅侧墙覆盖字线的侧壁；且控制栅侧墙靠近字线的侧壁垂直于浮栅层的表面。因此，本发明中的所述控制栅侧墙覆盖所述字线的侧壁，且所述控制栅侧墙上没有覆盖膜层，可直接将所述控制栅侧墙的引出。此外，本发明先形成字线，然后在字线的侧壁形成控制栅侧墙，且所述控制栅侧墙靠近字线的侧壁垂直于浮栅层的表面。无需刻蚀控制栅侧墙，从而避免控制栅侧墙靠近字线的一端出现尖端，以避免漏电流的出现，提高器件性能。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种分栅快闪存储器及其制备方法。

背景技术

快闪存储器以其便捷，存储密度高，可靠性好等优点成为非挥发性存储器中研究的热点。从二十世纪八十年代第一个快闪存储器问世以来，随着技术的发展和各类电子产品对存储的需求，快闪存储器被广泛用于手机，笔记本，掌上电脑和U盘等移动和通讯设备中。快闪存储器为一种非易失性存储器，其运作原理是通过改变晶体管或存储单元的临界电压来控制门极通道的开关以达到存储数据的目的，使存储在存储器中的数据不会因电源中断而消失。如今快闪存储器己经占据了非挥发性半导体存储器的大部分市场份额，成为发展最快的非挥发性半导体存储器。

目前适用比较广的快闪存储器为分栅结构，如图1所示，通常是先在衬底10上依次沉积场氧化层11、浮栅层12、ONO膜层13、控制栅层14和硬掩模层15后，再依次刻蚀硬掩模层15、控制栅层14、ONO膜层13以及浮栅层12以形成一沟槽，并在所述沟槽内形成字线16、字线保护层17以及字线侧墙18。因控制栅层14被硬掩模层15覆盖，所以在后续引出控制栅层14时，需要一个光罩所述控制栅层14上的膜层中形成一开口，使得部分所述控制栅14，能够显露。然后，通过这一开口进一步形成金属接触孔结构，以实现控制栅层14的电性接出，工艺比较复杂。此外，如图2所示，在刻蚀沟槽时会去除部分所述控制栅层14，使得经刻蚀的所述控制栅层14靠近字线的一侧易存在尖端B，这种尖端B会导致漏电流的出现。

因此，需要一种新的分栅快闪存储器及其制备方法，能实现减少光罩、精简工艺流程，并能够减小漏电流，提高器件性能。

发明内容

本发明的目的在于提供一种分栅快闪存储器及其制备方法，以解决如何减少光罩、精简工艺流程或减小器件漏电流中的至少一个问题。

为解决上述技术问题，本发明提供一种分栅快闪存储器的制备方法，包括：

提供一衬底，所述衬底上依次形成有浮栅层和掩模层；

在所述掩模层中形成一沟槽，所述沟槽贯穿所述掩模层和所述浮栅层，露出部分所述衬底；

形成字线，所述字线填充所述沟槽；

去除所述掩模层；

在所述浮栅层上形成控制栅侧墙，所述控制栅侧墙覆盖所述字线的侧壁，且所述控制栅侧墙靠近所述字线的侧壁垂直于所述浮栅层的表面。

可选的，在所述的分栅快闪存储器的制备方法中，形成所述控制栅侧墙的过程，包括：

在所述浮栅层上形成控制栅层；

去除部分所述控制栅层，以形成所述控制栅侧墙。

可选的，在所述的分栅快闪存储器的制备方法中，采用低压化学气相沉积工艺形成所述控制栅侧墙。

可选的，在所述的分栅快闪存储器的制备方法中，形成所述沟槽的过程，包括：

在所述掩模层上形成第一开口，并使部分所述浮栅层暴露；

形成第一氧化层，所述第一氧化层覆盖所述第一开口侧壁；