[发明专利]集成电路后仿真参数网表的生成方法在审
申请号: | 202110090095.0 | 申请日: | 2021-01-22 |
公开(公告)号: | CN112765916A | 公开(公告)日: | 2021-05-07 |
发明(设计)人: | 曹云 | 申请(专利权)人: | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
主分类号: | G06F30/327 | 分类号: | G06F30/327;G06F30/3308;G06F30/398 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 曹廷廷 |
地址: | 201203 上海市浦东*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 集成电路 仿真 参数 生成 方法 | ||
1.一种集成电路后仿真参数网表的生成方法,用于对集成电路的仿真电路进行后仿真测试,其特征在于,包括:
从仿真电路中生成电路网表,电路网表包含多级子电路ID号,对所述电路网表内的子电路ID号进行排序,以避免重复的子电路ID号;
从排序后的电路网表和版图中进行寄生参数网表的提取,所述寄生参数网表包括电子元件ID号和电子元件的寄生电容参数,所述电子元件ID号和所述寄生电容参数一一对应;
根据电子元件ID号嵌入到最末级的子电路ID中,在电路网表中查出对应的子电路,并在其中嵌入对应的寄生电容参数,以形成后仿真参数网表。
2.如权利要求1所述的集成电路后仿真参数网表的生成方法,其特征在于,所述仿真电路参数网表、所述寄生参数网表和所述后仿真参数网表均为CDL文件的网表。
3.如权利要求1所述的集成电路后仿真参数网表的生成方法,其特征在于,对所述电路网表内的子电路ID号进行排序的方法包括:对所述子电路ID号按照数值的大小从小到大排序。
4.如权利要求3所述的集成电路后仿真参数网表的生成方法,其特征在于,使用后仿真参数网表进行仿真,在仿真到所述子电路ID号时,调用电子元件ID号对应的寄生电容参数进行仿真。
5.如权利要求1所述的集成电路后仿真参数网表的生成方法,其特征在于,所述仿真电路包括多个子电路,每个所述子电路对应一个子电路ID号。
6.如权利要求1所述的集成电路后仿真参数网表的生成方法,其特征在于,所述仿真电路包括多个电子元件,每个所述电子元件对应一个电子元件ID号。
7.如权利要求6所述的集成电路后仿真参数网表的生成方法,其特征在于,所述寄生电容参数还包括:电子元件的寄生电容的值。
8.如权利要求7所述的集成电路后仿真参数网表的生成方法,其特征在于,所述寄生电容为:寄生电容对地的值。
9.如权利要求1所述的集成电路后仿真参数网表的生成方法,其特征在于,所述子电路ID号包括:第一子电路ID、第二子电路ID和第三子电路ID;所述第一子电路ID、第二子电路ID和第三子电路ID的依次排列在所述仿真电路网表中。
10.如权利要求9所述的集成电路后仿真参数网表的生成方法,其特征在于,将电子元件ID号嵌入到所述第三子电路ID中。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司,未经上海华虹宏力半导体制造有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110090095.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。